512 Кбит 1 Мбит 2 Мбит Многократно Программируемый Флэш-лидный интегральный микросхема чип SST27SF512-70-3C-PGE

512 Кбит 1 Мбит 2 Мбит Многократно Программируемый Флэш-лидный интегральный микросхема чип SST27SF512-70-3C-PGE

СТРАНИЦЫ:

• Организован как 64K x8 / 128K x8 / 256K x8

• 4,5-5,5 В чтение

• Высокая надежность

Выдержка: не менее 1000 циклов

Хранение данных более 100 лет

• Низкое энергопотребление

Активный ток: 20 мА (типичный)

️ Течение в режиме ожидания: 10 мА (типичное)

• Время быстрого доступа к чтению: 70 нс

• Операция быстрого байт-программы

Время байт-программы: 20 мкс (типично)

Время программирования чипа:

1.4 секунды (типично) для SST27SF512

2.8 секунд (типично) для SST27SF010

5.6 секунд (типично) для SST27SF020

Описание продукта

SST27SF512/010/020 - это 64K x8 / 128K x8 / 256K x8 CMOS, многократно программируемая (MTP) недорогая вспышка, изготовленная с использованием собственной высокопроизводительной технологии SuperFlash SST.Конструкция с разделенным шлюзом и толстый оксидный туннельный инжектор достигают лучшей надежности и производительности по сравнению с альтернативными подходамиЭти MTP устройства могут быть электрически удалены и запрограммированы не менее 1000 раз с помощью внешнего программиста с 12В источником питания.Эти устройства соответствуют стандарту JEDEC для байтных памятей.

Обладая высокопроизводительной байт-программой, SST27SF512/010/020 обеспечивает время байт-программы 20 мкс.эти устройства предлагаются с прочностью не менее 1000 цикловХранение данных рассчитано на более 100 лет.

SST27SF512/010/020 подходят для приложений, требующих нечастых записей и маломощного нелетающего хранилища.и производительности при одновременной низкой стоимости в нелетких приложениях, которые в настоящее время используют УФ-EPROM, ОТП, и маскированные ROM.

Абсолютный максимальный уровень стресса(Применение условий, более высоких, чем указанные в разделе "Абсолютная максимальная степень напряжения", может привести к постоянному повреждению устройства.Это только классификация напряжения и не предполагает функциональной работы устройства при этих условиях или условиях, более высоких, чем те, которые определены в эксплуатационных разделах настоящего листа данных..Воздействие абсолютных максимальных условий напряжения может повлиять на надежность устройства.)

Температура под предвзятостью. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55°C до +125°C

Температура хранения. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . - Что? . . . . -65°C до +150°C.

Напряжение на любом потенциале. . . . . . . . . . . . . . . . .-0,5В до VDD+0,5V

Переходное напряжение (<20 нс) на любом потенциале привязки к земле. . ..-2,0В до VDD+2,0В

Напряжение на А9 и ВПП подключается к потенциалу заземления. . . . .. . . . . . . . -0,5 до 14,0 В

Способность рассеивания мощности (TA = 25°C). . . . . . . . . 1,0 Вт

Температура сварки свинца через отверстие (10 секунд). . . . . . . . . .. . . . . 300°C

Температура обратного потока сварки на поверхности1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260°C в течение 10 секунд Выход короткого тока2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 мА

Список запасов