IR2117SPBF ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДРАЙВЕР общие интегральные схемы
electronics ic chip
,integrated circuit components
СПИСОК АКЦИЙ
SN7417N | 3755 | ТИ | 16+ | ОКУНАТЬ |
VN920SP | 3756 | СТ | 15+ | СОП10 |
75 юаней | 3772 | ВИШАЙ | 16+ | ДИП-6 |
DS1803 | 3777 | ДАЛЛАС | 15+ | СОП16 |
MC33171 | 3778 | НА | 12+ | СОП8 |
74LVC1G125DCKR | 3800 | ТИ | 16+ | СОТ23 |
АД8009АРЗ | 3800 | ОБЪЯВЛЕНИЕ | 12+ | СОП8 |
БА4560 | 3800 | РОМ | 16+ | СОП8 |
БД680 | 3800 | СТ | 16+ | ТО-126 |
CDRH6D28-101NC | 3800 | СУМИДА | 16+ | поверхностный слой |
EL7202CS | 3800 | ЭЛАНТЕК | 16+ | СОП-8 |
ИРФ1010НПБФ | 3800 | ИК | 16+ | ТО-220 |
ТДА2030А | 3800 | СТ | 14+ | ТО-220 |
UC3854N | 3800 | ТИ | 16+ | DIP16 |
ГС3137-08-ТАЗ | 3801 | СОПУТСТВУЮЩИЙ | 16+ | ТССОП |
TNY267PN | 3822 | ВЛАСТЬ | 15+ | ДИП-7 |
ТОП245ПН | 3822 | ВЛАСТЬ | 16+ | ДИП-7 |
AD8051AR | 3852 | ОБЪЯВЛЕНИЕ | 15+ | СОП8 |
ТС5А3153ДКУР | 3870 | ТИ | 12+ | ВССОП-8 |
E6N02 | 3874 | НА | 16+ | СОП8 |
ФММТА14 | 3888 | ЗЕТЭКС | 12+ | СОТ23 |
TLC072CDGNR | 3888 | ТИ | 16+ | MSOP8 |
БТС442Е2 | 3900 | 16+ | СОТ-263 | |
ФДД6670АЛ | 3900 | ФЭЙРЧАЙЛД | 16+ | ТО252 |
NC7SZ00M5X | 3900 | ФЭЙРЧАЙЛД | 16+ | СОТ-153 |
ИР2117СОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДРАЙВЕР общие интегральные схемы
Функции
• Плавающий канал, предназначенный для работы в режиме начальной загрузки. Полностью работоспособен до +600 В. Устойчив к отрицательному переходному напряжению. Устойчив к dV/dt.
• Диапазон питания привода затвора от 10 до 20 В.
• Блокировка при пониженном напряжении
• КМОП-триггерные входы Шмитта с раскрывающимся
• Выход в фазе со входом (IR2117) или в противофазе со входом (IR2118)
• Также доступен без свинца
Описание
IR2117/IR2118(S) — это высоковольтный, быстродействующий драйвер MOSFET и IGBT.Запатентованные технологии HVIC и CMOS с защитой от защелок обеспечивают прочную монолитную конструкцию.Логический вход совместим со стандартными выходами CMOS.Выходной драйвер имеет буферный каскад с высоким импульсным током, спроектированный для минимальной перекрестной проводимости.Плавающий канал может использоваться для управления N-канальным мощным MOSFET или IGBT в конфигурации с высоким или низким уровнем, который работает до 600 вольт.