SM6T6V8CA Электроника интегральная схема чип поверхность монтаж преходящего подавляющего напряжения
electronics ic chip
,integrated circuit components
SM6T6V8CA Электроника интегральная схема чип поверхность монтаж преходящего подавляющего напряжения
Серия SM6T
Поверхностная установка СУПРЕССОРНОГО ПРОТАНЦИОННОГО ВОЛТАЖА
Напряжение от 5,0 до 220 вольт
Пиковая мощность 600 Вт
СТРАНИЦЫ
• Для применения на поверхности с целью оптимизации пространства доски
• Пакет с низким профилем
• Встроенное облегчение напряжения
• Пассивированное стеклянное соединение
• Низкая индуктивность
• Отличная способность к зажиманию
• Частота повторения (цикл работы):00,01%.
• Быстрое время ответа: обычно менее 1,0 л.с. от 0 вольт до BV для однонаправленных типов
• Типичный IR менее 1μA выше 10В
• Высокотемпературная сварка: 250°C/10 секунд на терминалах
• Пластиковая упаковка имеет лабораторную классификацию воспламеняемости 94 V-O
Механические данные
Случай: JEDEC DO214AA. Сплавленный пластик над пассивированным стеклянным соединением
Терминалы: сварные, сварные согласно MIL-STD-750, метод 2026
Полярность: цветовая полоса обозначает положительный конец (катод), за исключением двунаправленного
Стандартная упаковка: 12 мм лента (EIA STD RS-481)
Вес: 0,003 унции, 0,093 грамма)
Устройства для биполярных приложений
Для использования в обоих направлениях Суффикс CA для типов SM6T6V8CA до типов SM6T220CA Электрические характеристики применяются в обоих направлениях.
Максимальные рейтинги и характеристики
При температуре окружающей среды 25°C, если не указано иное.
| Рейтинг | СИМБОЛ | СТАТЬЯ | ЕДИНСТВА |
| Пиковая мощность импульса рассеивается на волновой форме 10/1000 μs (ПРИМЕЧАНИЕ 1, 2, фиг.1) | ПPPM | Не менее 600 | Ватты |
| Пиковый импульсный ток на 10/1000 μs волновой формы (примечание 1, фиг. 3) | Я...PPM | См. Таблицу 1 | Амперы |
|
Пиковый вперед всплеск тока, 8,3 мс. Накладывается на номинальную нагрузку (метод JEDEC) (Примечание 2, 3) |
Я...ФСМ | 100 | Амперы |
| Операционный и температурный диапазон хранения | TJ, TСТГ | -55 +150 | °C |
Примечания:
1. не повторяющийся импульс тока, по фиг.3 и сделанный выше Ta=25 °C по фиг.2.
2Монтируется на медную подложку площадью 0,8x0,8 " (20x20 мм) на фиг.5.
3. 8,3 мс одночасовая половинная синусовая волна или эквивалентная квадратная волна, рабочий цикл = 4 импульса в минуту максимум.
КОРЕВЫ РАТИФИКАЦИИ И КАРАКТЕРИСТИЧЕСКИХ
Напряжение тока сатурации сборника кремния транзисторов 2SD1899 NPN PNP материальное низкое
ТВ 5000W усмирителя пульсации напряжения тока BZW50-39BRL 180V Transil переходные
Усмиритель пульсации DO-15 напряжения тока P6KE440ARL 15kV 600W переходный
Транзисторы 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP через отверстие К высокой эффективности 220AB
Собирать силы 65W HFE транзисторов 100V 6A TIP42C двухполярный NPN PNP настоящий
Усмирителя напряжения тока ТВ SM6T15CAY держатель переходного поверхностный
2N7002 Чип-диод НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ
BCP52-16 Новый и оригинальный запас
STW45NM60 Новый и оригинальный запас
STP110N8F6 Новый и оригинальный запас
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
Напряжение тока сатурации сборника кремния транзисторов 2SD1899 NPN PNP материальное низкое |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
ТВ 5000W усмирителя пульсации напряжения тока BZW50-39BRL 180V Transil переходные |
90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
|
|
|
|
Усмиритель пульсации DO-15 напряжения тока P6KE440ARL 15kV 600W переходный |
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
|
|
|
|
Транзисторы 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP через отверстие К высокой эффективности 220AB |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
Собирать силы 65W HFE транзисторов 100V 6A TIP42C двухполярный NPN PNP настоящий |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
Усмирителя напряжения тока ТВ SM6T15CAY держатель переходного поверхностный |
27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
|
|
|
|
2N7002 Чип-диод НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
|
|
|
|
BCP52-16 Новый и оригинальный запас |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
|
|
|
|
STW45NM60 Новый и оригинальный запас |
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
|
|
|
|
STP110N8F6 Новый и оригинальный запас |
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
|