2N7002PW поверхностный канал 60V 310mA n транзисторов держателя NPN PNP (животики) 260mW
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
2N7002PW NPN PNP транзисторы N-канал 60V 310mA (Ta) 260mW (Ta) поверхность монтаж SC-70
Описание
Этот MOSFET был разработан, чтобы минимизировать сопротивление в состоянии включения (RDS ((ON)) и при этом поддерживать превосходную производительность переключения, что делает его идеальным для высокоэффективных приложений управления питанием.
Заявления
Моторный контроль
Функции управления энергопотреблением
Особенности
Низкое сопротивление
Низкое пороговое напряжение
Низкая входная емкость
Быстрая скорость переключения
Пакет для установки на небольшую поверхность
Совершенно без свинца и полностью соответствует требованиям RoHS (примечания 1 и 2)
Без галогена и антимона. Зелёное устройство (примечания 3 и 4)
Квалифицирован по стандартам AEC-Q101 для высокой надежности
Механические данные
Случай: SOT23
Материал корпуса: Формованный пластик, Зелёный Соединение формования. UL Классификация воспламеняемости 94V-0 Чувствительность к влаге: уровень 1 по J-STD-020
Терминалы: матовая оловянная отделка, прожектованная над свинцовым каркасом сплава 42 (бессвинцовое покрытие).
Терминальные соединения: см. диаграмму
Вес: 0,008 грамма (приблизительно)
| Атрибуты продукта | Выберите все |
| Категории | Дискретные полупроводниковые изделия |
| Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. |
| Серия | - |
| Опаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус части | Активный |
| Тип FET | N-канал |
| Технологии | MOSFET (оксид металла) |
| Напряжение отхода к источнику (Vdss) | 60 В |
| Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C | 310mA (Ta) |
| Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено) | 10 В |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10,6 Ом @ 500 мА, 10 В |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4В @ 250μA |
| Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.8nC @ 4,5В |
| Vgs (макс.) | ± 20 В |
| Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Функция FET | - |
| Рассеивание энергии (макс.) | 260 мВт (Ta) |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Поверхностный монтаж |
| Пакет изделий поставщика | СК-70 |
| Пакет / чемодан | SC-70, SOT-323 |
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F
Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC