IRFP9240 Ректификатор общего назначения с диодом P канала с 150 Вт через отверстие
high current schottky diode
,low power zener diode
IRFP9240 Диод P-канала для ректификатора общего назначения 200 В 12 А (Тц) 150 Вт (Тц) через отверстие
СТРАНИЦЫ
• Динамический dV/dt
• Оценка повторных лавин
• П-канал
• Изолированное центральное отверстие для установки
• Быстрое переключение
• Легкость параллелизации
• Простые требования к приводу
• Соответствует Директиве RoHS 2002/95/EC
Описание
Третье поколение Power MOSFET от Vishay обеспечивает дизайнеру лучшее сочетание быстрой коммутации, надежного устройства, низкого сопротивления и экономической эффективности.Пакет TO-247AC предпочтителен для коммерческих и промышленных применений, где более высокие уровни мощности исключают использование устройств TO-220ABTO-247AC похож, но превосходит предыдущий пакет TO-218 из-за его изолированного монтажного отверстия.Он также обеспечивает большее расстояние между булавками, чтобы удовлетворить требованиям большинства спецификаций безопасности.
| Атрибуты продукта | Выберите все |
| Категории | Дискретные полупроводниковые изделия |
| Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | |
| Производитель | Вишай Силиконикс |
| Серия | - |
| Опаковка | Трубка |
| Статус части | Активный |
| Тип FET | П-канал |
| Технологии | MOSFET (оксид металла) |
| Напряжение отхода к источнику (Vdss) | 200 В |
| Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено) | 10 В |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 мОхм @ 7,2А, 10В |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4В @ 250μA |
| Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs | 44nC @ 10В |
| Vgs (макс.) | ± 20 В |
| Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Функция FET | - |
| Рассеивание энергии (макс.) | 150 Вт (Tc) |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Через дыру |
| Пакет изделий поставщика | ТО-247-3 |
VO1400AEFTR Транзистор с эффектом поля Новый и оригинальный
VS-60CPQ150PBF Транзистор с эффектом поля
VS-36MB160A Транзистор с эффектом поля
IRF640PBF Транзистор с эффектом поля
IRF620PBF Транзистор с эффектом поля
MBRB10100-E3/8W Новый и оригинальный запас
ЗАПАС VS-HFA25PB60PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
ЗАПАС TCMT1107 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
ЗАПАС 1N5245B-TAP НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
ЗАПАС SUD17N25-165-E3 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
VO1400AEFTR Транзистор с эффектом поля Новый и оригинальный |
Solid State SPST-NO (1 Form A) 4-SOP (0.173", 4.40mm)
|
|
|
|
VS-60CPQ150PBF Транзистор с эффектом поля |
Diode Array 1 Pair Common Cathode 150 V 30A Through Hole TO-247-3
|
|
|
|
VS-36MB160A Транзистор с эффектом поля |
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.6 kV QC Terminal D-34
|
|
|
|
IRF640PBF Транзистор с эффектом поля |
N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
IRF620PBF Транзистор с эффектом поля |
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MBRB10100-E3/8W Новый и оригинальный запас |
Diode 100 V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
|
|
|
|
ЗАПАС VS-HFA25PB60PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Diode 600 V 25A Through Hole TO-247AC Modified
|
|
|
|
ЗАПАС TCMT1107 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP
|
|
|
|
ЗАПАС 1N5245B-TAP НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
|
|
|
|
ЗАПАС SUD17N25-165-E3 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-Channel 250 V 17A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
|