MT29F64G08CBABAWP: Масса микросхемы памяти 8GX8 пластиковая PBF TSOP 3.3V b Nand внезапная IC - хранение
serial flash chip
,circuit board chips
MT29F64G08CBABAWP:B IC Memory Chip NAND FLASH 8GX8 PLASTIC PBF TSOP 3.3V MASS STORGE (Массовое хранилище)
Особенности
• Открытый интерфейс NAND Flash (ONFI) 1.01
• Технология одноуровневых ячеек (SLC)
• Организация ️ Размер страницы x8: 2112 байтов (2048 + 64 байта) ️ Размер страницы x16: 1056 слов (1024 + 32 слова) ️ Размер блока: 64 страницы (128K + 4K байтов) ️ Размер самолета:2 плоскости x 2048 блоков на плоскость Размер устройства: 4Gb: 4096 блоков; 8Gb: 8192 блоков 16Gb: 16384 блоков
• Асинхронная производительность ввода/вывода tRC/tWC: 20 нс (3,3 В), 25 нс (1,8 В)
• Производительность массива Прочитайте страницу: 25μs 3
• Комплект команд: ONFI NAND Flash Protocol
• Усовершенствованный набор команд Программный режим кэша страницы4 Прочитать режим кэша страницы4 Одноразовый программируемый (OTP) режим Двухуровневые команды 4 Операции с перемещенным стержнем (LUN) Прочитать уникальный идентификатор Блокировать блокировку (1.8V только)
• Байт состояния операции обеспечивает программный метод для обнаружения завершение операции условия прохождения / отказа защиту от записи
• Сигнал Ready/Busy# (R/B#) обеспечивает аппаратный метод обнаружения завершения операции
• Сигнал WP#: Запишите защитить все устройство
| Атрибуты продукта | Выберите все |
| Категории | Интегрированные схемы (IC) |
| Память | |
| Производитель | Микрон Технологии Инк. |
| Серия | - |
| Статус части | Активный |
| Тип памяти | Нелетающие |
| Формат памяти | ФЛАСШ |
| Технологии | Flash - NAND |
| Размер памяти | 64 Гб (8 Гб x 8) |
| Напишите время цикла - слово, страница | - |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Напряжение - питание | 2.7 В ~ 3.6 В |
| Операционная температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
MT48LC4M16A2TG-75 ИТ: МИКРОН TSOP4 Meg банки x 4 x 4 IC драхмы g TR одновременный
M45PE10-VMN6P Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ
MT25QL512ABB1EW9-0SIT Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ СТОК
N25Q128A13EF740F Новый и оригинальный запас
PF48F3000P0ZTQEA Новый и оригинальный запас
N25Q128A13ESF40F TR Новый и оригинальный запас
N25Q064A13ESE40F TR Новый и оригинальный запас
N25Q128A11EF840F TR Новый и оригинальный запас
N25Q128A13BSF40F TR Новый и оригинальный запас
MX30LF2G18AC-TI Новый и оригинальный запас
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
MT48LC4M16A2TG-75 ИТ: МИКРОН TSOP4 Meg банки x 4 x 4 IC драхмы g TR одновременный |
SDRAM Memory IC 64Mbit Parallel 133 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
|
|
|
|
M45PE10-VMN6P Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ |
FLASH - NOR Memory IC 1Mbit SPI 75 MHz 8-SO
|
|
|
|
MT25QL512ABB1EW9-0SIT Флэш-память IC НОВАЯ И ОРИГИНАЛЬНАЯ СТОК |
FLASH - NOR Memory IC 512Mbit SPI 133 MHz 8-WPDFN (8x6) (MLP8)
|
|
|
|
N25Q128A13EF740F Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (6x5) (MLP8)
|
|
|
|
PF48F3000P0ZTQEA Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit Parallel 52 MHz 65 ns 88-SCSP (8x10)
|
|
|
|
N25Q128A13ESF40F TR Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SO
|
|
|
|
N25Q064A13ESE40F TR Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR Memory IC 64Mbit SPI 108 MHz 8-SO W
|
|
|
|
N25Q128A11EF840F TR Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (MLP8) (8x6)
|
|
|
|
N25Q128A13BSF40F TR Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SOP2
|
|
|
|
MX30LF2G18AC-TI Новый и оригинальный запас |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gbit Parallel 20 ns 48-TSOP
|