Тип кремния NPN транзистора IC мощного усилителя звуковой частоты 2SC5171 эпитаксиальный 200 MHz
2SC5171
,TOSHIBA original chip
,Audio Power Amplifier IC
Тип применения кремния NPN транзистора 2SC5171 ТОШИБА эпитаксиальный усилителя силы
ОСОБЕННОСТИ
• Высокая частота перехода: fT = 200 MHz (тип.)
• Комплементарный к 2SA1930
Электрические характеристики (Tc = 25°C)
|
Характеристики |
Символ |
Условие испытаний |
Минута |
Тип. |
Макс |
Блок |
|
Течение выключения сборника |
ICBO |
VCB = 180 V, IE = 0 |
- |
- |
5,0 |
μA |
|
Течение выключения излучателя |
IEBO |
VEB = 5 V, IC = 0 |
- |
- |
5,0 |
μA |
|
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера |
ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР V (BR) |
IC = 10 мам, IB = 0 |
180 |
- |
- |
V |
|
Увеличение DC настоящее |
hFE (1) |
VCE = 5 V, IC = 0,1 A |
100 |
- |
320 |
|
|
hFE (2) |
VCE = 5 V, IC = 1 A |
50 |
- |
- |
||
|
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера |
VCE (сидел) |
IC = 1 A, IB = 0,1 A |
- |
0,16 |
1,0 |
V |
|
напряжение тока Основани-излучателя |
VBE |
VCE = 5 V, IC = 1 A |
- |
0,68 |
1,5 |
V |
|
Частота перехода |
fT |
VCE = 5 V, IC = 0,3 A |
- |
200 |
- |
MHz |
|
Емкость выхода сборника |
Удар |
VCB = 10 v, IE = 0, f = 1 MHz |
- |
16 |
- |
pF |
Абсолютный максимум оценок (Tc = 25°C)
|
Характеристики |
Символ |
Оценка |
Блок |
|
|
Напряжение тока коллектора- база |
VCBO |
180 |
V |
|
|
Напряжение тока коллектор- эмиттера |
VCEO |
180 |
V |
|
|
напряжение тока Излучател-основания |
VEBO |
5 |
V |
|
|
Течение сборника |
IC |
2 |
|
|
|
Ток базы |
IB |
1 |
|
|
|
Диссипация силы сборника |
Животики = 25°C |
ПК |
2,0 |
W |
|
Tc = 25°C |
20 |
|||
|
Температура соединения |
Tj |
150 |
°C |
|
|
Диапазон температур хранения |
Tstg |
−55до150 |
°C |
|
Применения
• Применения усилителя силы
• Применения усилителя задающего каскада
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|