MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 транзистора силы Mosfet SI7461DP-T1-GE3
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 транзистора силы Mosfet SI7461DP-T1-GE3
ОСОБЕННОСТИ
- MOSFETs силы TrenchFET®
- Материальная категоризация:
для определений соответствия пожалуйста см. www.vishay.com/doc?99912
|
СВОДКА ПРОДУКТА |
||
|
VDS (V) |
RDS (дальше) () |
ID (A) |
|
-60 |
0,0145 на VGS = -10 v |
-14,4 |
|
0,0190 на VGS = -4,5 v |
-12,6 |
|
|
АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (ЖИВОТИКОВ = °C 25, если не указано иное) |
|||||
|
ПАРАМЕТР |
СИМВОЛ |
10 s |
НОМИНАЛЬНЫЙ |
БЛОК |
|
|
Напряжение тока Сток-источника |
VDS |
-60 |
V |
||
|
Напряжение тока Ворот-источника |
VGS |
± 20 |
|||
|
Непрерывное течение стока (TJ = °C 150) a |
ЖИВОТИКИ =25°C |
ID |
-14,4 |
-8,6 |
|
|
ЖИВОТИКИ =70°C |
-11,5 |
-6,9 |
|||
|
Пульсированное течение стока |
IDM |
-60 |
|||
|
Непрерывное течение источника (кондукция) диода a |
|
-4,5 |
-1,6 |
||
|
Течение лавины |
L = 0,1 mH |
IAS |
50 |
||
|
Одиночная энергия лавины ИМПа ульс |
EAS |
125 |
mJ |
||
|
Максимальная диссипация силы a |
ЖИВОТИКИ =25°C |
PD |
5,4 |
1,9 |
W |
|
ЖИВОТИКИ =70°C |
3,4 |
1,2 |
|||
|
Работая диапазон температур соединения и хранения |
TJ, Tstg |
-55 до +150 |
°C |
||
|
Паяя рекомендации (пиковая температура) b, c |
260 |
||||
|
ОЦЕНКИ ТЕРМАЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ |
|||||
|
ПАРАМЕТР |
СИМВОЛ |
ТИПИЧНЫЙ |
МАКСИМУМ |
БЛОК |
|
|
Максимальное Соединени-к-окружающее a |
10 s t |
RthJA |
18 |
23 |
°C/W |
|
Номинальный |
52 |
65 |
|||
|
Максимальный Соединени-к-случай (сток) |
Номинальный |
RthJC |
1 |
1,3 |
|
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|