Отправить сообщение
Дом > продукты > Обломок IC флэш-памяти > MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 транзистора силы Mosfet SI4425DDY-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 транзистора силы Mosfet SI4425DDY-T1-GE3

производитель:
Производитель
Описание:
P-канал 30 v 19.7A (Tc) 2.5W (животики), (Tc) держатель 8-SOIC поверхности 5.7W
Категория:
Обломок IC флэш-памяти
Цена:
Contact us
Способ оплаты:
ПайПал, Вестерн Юнион, ТТ
Спецификации
Изготовитель:
VISHAY
Категория продукта:
MOSFET
Технология:
Si
Устанавливать стиль:
SMD/SMT
Пакет/случай:
SO-8
Количество каналов:
1 канал
Самое интересное:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Введение

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 транзистора силы Mosfet SI4425DDY-T1-GE3

ОСОБЕННОСТИ

  • свободный от Галоид согласно определению IEC 61249-2-21
  • MOSFET силы TrenchFET®

  • 100% испытанное Rg

ПРИМЕНЕНИЯ

•Переключатели нагрузки

- ПК тетради

- Настольные ПК

СВОДКА ПРОДУКТА

VDS (V)

RDS (дальше) (Ω)

ID (a) a

Qg (тип.)

- 30

0,0098 на VGS = 10 v

- 19,7

27 nC

0,0165 на VGS = 4,5 v

- 15,2

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ЖИВОТИКОВ ОЦЕНОК = °C 25, если не указано иное

Параметр

Символ

Предел

Блок

Напряжение тока Сток-источника

VDS

- 30

V

Напряжение тока Ворот-источника

VGS

± 20

Непрерывное течение стока (TJ = °C 150)

TC =25°C

ID

- 19,7

TC =70°C

- 15,7

ЖИВОТИКИ = °C 25

- 13b, c

ЖИВОТИКИ = °C 70

- 10.4b, c

Пульсированное течение стока

IDM

- 50

Непрерывное течение диода Источник-стока

TC =25°C

- 4,7

ЖИВОТИКИ = °C 25

- 2.1b, c

Максимальная диссипация силы

TC =25°C

PD

5,7

W

TC =70°C

3,6

ЖИВОТИКИ = °C 25

2.5b, c

ЖИВОТИКИ = °C 70

1.6b, c

Работая диапазон температур соединения и хранения

TJ, Tstg

- 55 до 150

°C

ОЦЕНКИ ТЕРМАЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

Параметр

Символ

Типичный

Максимум

Блок

Максимальный Соединени-к-Ambientb, d

≤ 10 s t

RthJA

35

50

°C/W

Максимальная Соединени-к-нога (сток)

Номинальный

RthJF

18

22

Родственные продукты
Изображение часть # Описание
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
Contact us