Отправить сообщение
Дом > продукты > Обломок IC флэш-памяти > Транзистор силы Mosfet LMZ21700SILR Не-изолировал конвертеры LMZ21700 DC/DC БЕЗ ВАРИАНТА OVERMOLD

Транзистор силы Mosfet LMZ21700SILR Не-изолировал конвертеры LMZ21700 DC/DC БЕЗ ВАРИАНТА OVERMOLD

производитель:
Производитель
Описание:
КОНВЕРТЕР 0.9-6V DC DC
Категория:
Обломок IC флэш-памяти
Цена:
Contact us
Способ оплаты:
ПайПал, Вестерн Юнион, ТТ
Спецификации
Влага чувствительная:
Да
Тип продукта:
Не-изолированные конвертеры DC-DC
Subcategory:
Преобразователь постоянного тока в постоянный
Температурная амплитуда рабочей температуры:
- 40 c до + 125 c
Категория продукта:
Не-изолированные конвертеры DC/DC
Изготовитель:
Texas Instruments
Самое интересное:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Введение

Транзистор силы Mosfet LMZ21700SILR Не-изолировал конвертеры LMZ21700 DC/DC БЕЗ ВАРИАНТА OVERMOLD

Особенности 1

  • Интегрированный индуктор
  • Миниатюра 3,5 mm × 3,5 mm × пакет 1,75 mm

  • размер решения 35-mm2 (встали на сторону одиночные, который)

  • – 40°C к диапазону температур соединения 125°C

  • Регулируемое напряжение тока выхода

  • Интегрированная компенсация

  • Регулируемая функция Мягк-начала

  • Начала в Пре-пристрастные нагрузки

  • Приведите хорошее в действие и включите штыри

  • Безшовный переход для того чтобы привести - спасительный режим в действие

  • До 650 мам вывели наружу настоящее

  • Ряд 3 v ввода напряжения до 17 v

  • Выведите наружу напряжение тока для того чтобы выстроить в ряд 0,9 v до 6 v

  • Эффективность до 95%

  • течение выключения 1.5-μA

  • спокойное течение 17-μA

2 применения

• Пункт преобразований нагрузки от ввода напряжения 3.3-V, 5-V, или 12-V

• Космос ограничил применения • Замена LDO

Описание 3

Nano модуль LMZ21700 легкое в использовании понижение решение DC/DC способное на управлять до 650 - мамы нагружают в космос-ограниченных применениях. Только конденсатор входного сигнала, конденсатор выхода, конденсатор мягк-начала, и 2 резистора необходимы для основной деятельности.

Данные по прибора

НОМЕР ДЕТАЛИ

ПАКЕТ

РАЗМЕР ТЕЛА (NOM)

LMZ21700

μSIP (8)

3,50 mm × 3,50 mm

Родственные продукты
Изображение часть # Описание
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
Contact us