СИД транзистора силы Mosfet LM36922HYFFR освещая водителей освещает контржурным светом с инвертором
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
СИД транзистора силы Mosfet LM36922HYFFR освещая водителей освещает контржурным светом с инвертором
Особенности 1
- 1% соответствовало настоящим раковинам через процесс, напряжение тока, температуру
-
Точность Настоящ-раковины 3% через процесс, напряжение тока, температуру
-
11-бит затемняя разрешение
-
Эффективность решения до 90%
-
Приводы от одного до 2 параллельных строки СИД на до 38 v на 25 мамах в строку
-
PWM затемняя входной сигнал
-
I2C Programmable
-
Дискретная переключая частота 500-kHz и 1-MHz с опционным – перенос 12%
-
Автоматический режим частоты переключателя (250 КГц, 500 КГц, 1 MHz)
-
4 конфигурируемых порога предохранения от перенапряжения (17 v, 24 v, 31 v, 38 v)
-
4 конфигурируемых порога предохранения от перегрузок по току (750 мам, 1000 мам, 1250 мам, 1500 мам)
-
Термальное предохранение от выключения
-
Внешне дискретные варианты адреса I2C через входной сигнал ASEL
2 применения
• Источник питания для умный освещать контржурным светом телефона и планшета
Описание 3
LM36922H ультра-компактное, сильно эффективный, водитель 2-строки ВЕДОМЫЙ бело конструированный для освещать контржурным светом дисплея LCD. Прибор может привести СИД в действие до 12 серий на до 25 мамах в строку. Приспособительный метод действующего положения учитывает различные напряжения тока СИД в каждой строке пока поддерживающ действующее положение.
Течение СИД отрегулировано через интерфейс I2C или через входной сигнал уровня PWM логики. Круг обязаностей PWM внутренне воспринят и составлен карту к 11 сдержанному течению таким образом учитывая широкий диапазон частот PWM со свободной от шум деятельностью от μA 50 до 25 мам.
Другие особенности включают режим автоматическ-частоты, который может автоматически изменить частоту основанную на нагрузке настоящей для того чтобы оптимизировать эффективность.
Прибор работает над 2.5-V к ряду ввода напряжения 5.5-V и – 40°C к диапазону температур +85°C.
Данные по прибора
|
НОМЕР ДЕТАЛИ |
ПАКЕТ |
РАЗМЕР ТЕЛА (МАКС) |
|
LM36922H |
DSBGA (12) |
1,756 mm × 1,355 mm |
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|