MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM транзистора силы Mosfet NTMFS4833NT1G
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM транзистора силы Mosfet NTMFS4833NT1G
Особенности
• Низкий RDS (дальше) для того чтобы уменьшить потери при теплопроводности
• Низкая емкость для того чтобы уменьшить потери водителя
• Оптимизированная обязанность ворот для того чтобы уменьшить переключая потери
• Эти приборы Pb−Free
Применения
• См. примечание по применению AND8195/D
• Подача энергии C.P.U.
• Конвертеры DC−DC
• Низкое бортовое переключение
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (TJ = 25°C если не указано иное)
|
Параметр |
Символ |
Значение |
Блок |
||
|
Напряжение тока Drain−to−Source |
VDSS |
30 |
V |
||
|
Напряжение тока Gate−to−Source |
VGS |
±20 |
V |
||
|
Непрерывный сток настоящее RqJA (примечание 1) |
Номинальный |
ЖИВОТИКИ = 25°C |
ID |
28 |
|
|
ЖИВОТИКИ = 85°C |
20,5 |
||||
|
Диссипация силы RqJA (примечание 1) |
ЖИВОТИКИ = 25°C |
PD |
2,7 |
W |
|
|
Непрерывный сток настоящее RqJA (примечание 2) |
ЖИВОТИКИ = 25°C |
ID |
16 |
|
|
|
ЖИВОТИКИ = 85°C |
12 |
||||
|
Диссипация силы RqJA (примечание 2) |
ЖИВОТИКИ = 25°C |
PD |
1,1 |
W |
|
|
Непрерывный сток настоящее RqJC (примечание 1) |
TC = 25°C |
ID |
191 |
|
|
|
TC = 85°C |
138 |
||||
|
Диссипация силы RqJC (примечание 1) |
TC = 25°C |
PD |
113,6 |
W |
|
|
Пульсированное течение стока |
ЖИВОТИКИ = 25°C, tp =10ms |
IDM |
288 |
|
|
|
Работая температура соединения и хранения |
TJ, TSTG |
−55 до +150 |
°C |
||
|
Течение источника (диод тела) |
|
104 |
|
||
|
Сток к источнику dV/dt |
dV/dt |
6 |
V/ns |
||
|
Одиночная энергия лавины Drain−to−Source ИМПа ульс (TJ =25°C, VDD =30V, VGS =10V, IL = 35 Apk, l = 1,0 mH, RG = 25 w) |
EAS |
612,5 |
mJ |
||
|
Температура руководства для паяя целей (1/8 ′ ′ от случая для 10 s) |
TL |
260 |
°C |
||
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|