Отправить сообщение
Дом > продукты > Обломок IC флэш-памяти > Транзистор Mosfet канала 2N7002LT1G n, транзистор влияния поля Mos 115mA

Транзистор Mosfet канала 2N7002LT1G n, транзистор влияния поля Mos 115mA

производитель:
Производитель
Описание:
Держатель v 115mA N-канала 60 (Tc) 225mW (животики) поверхностный SOT-23-3 (TO-236)
Категория:
Обломок IC флэш-памяти
Цена:
Contact us
Способ оплаты:
ПайПал, Вестерн Юнион, ТТ
Спецификации
Тип продукта:
MOSFET
Subcategory:
MOSFETs
Минимальная рабочая температура:
- 55 c
Максимальная рабочая температура:
+ 150 c
Rds на - сопротивлении Сток-источника:
7,5 ома
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:
1 В
Самое интересное:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Введение

N-канал MOSFET 60V 115mA транзистора силы Mosfet 2N7002LT1G

Особенности

• приставка 2V для автомобильных и других применений требуя уникальных требований к места и смены операции; AEC−Q101 квалифицировало и PPAP способное (2V7002L)

• Эти приборы Pb−Free, галоид Free/BFR свободный и RoHS уступчивое

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ

Оценка

Символ

Значение

Блок

Напряжение тока Drain−Source

VDSS

60

Vdc

Напряжение тока Drain−Gate (RGS = 1,0 MW)

VDGR

60

Vdc

Стеките настоящее
− непрерывное TC = 25°C (− примечания 1) непрерывное TC = 100°C (пульсированное − примечания 1) (примечание 2)

ID

ID IDM

± 800 ± 75 ± 115

mAdc

Напряжение тока Gate−Source
− непрерывное
− Non−repetitive (госпожа ≤ 50 tp)

VGS VGSM

± 40 ± 20

Vdc Vpk

ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Характеристика

Символ

Макс

Блок

Полная доска диссипации FR−5 прибора (ЖИВОТИКИ примечания 3) = 25°C
Derate над 25°C

Термальное сопротивление, Junction−to−Ambient

PD RqJA

225 1,8 556

mW mW/°C °C/W

Полная диссипация прибора
(Субстрат глинозема примечания 4), ЖИВОТИКИ = 25°C Derate над 25°C

Термальное сопротивление, Junction−to−Ambient

PD RqJA

300 2,4 417

mW mW/°C °C/W

Температура соединения и хранения

TJ, Tstg

− 55 до +150

°C

Родственные продукты
Изображение часть # Описание
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
Contact us