Отправить сообщение
Дом > продукты > Обломок IC флэш-памяти > Распределение силы IC переключателя локальных сетей NSR02100HT1G НАД НАСТОЯЩЕЙ ЗАЩИТОЙ

Распределение силы IC переключателя локальных сетей NSR02100HT1G НАД НАСТОЯЩЕЙ ЗАЩИТОЙ

производитель:
Производитель
Описание:
Держатель v 200mA поверхностный SOD-323 диода 100
Категория:
Обломок IC флэш-памяти
Цена:
Contact us
Способ оплаты:
ПайПал, Вестерн Юнион, ТТ
Спецификации
Vrrm - Повторяющееся обратное напряжение:
100 v
Vf - пропускное напряжение:
950 mV
Ifsm - Прямой импульсный ток:
2 a
Конфигурация:
Одиночный
Технология:
Si
Ir - обратный ток:
nA 150
Самое интересное:

ethernet transceiver ic

,

fast ethernet switch chip

Введение

Распределение силы IC переключателя локальных сетей NSR02100HT1G НАД НАСТОЯЩЕЙ ЗАЩИТОЙ

Особенности

• Быстрая переключая скорость
• Низкое течение утечки
• Низкое − 0,45 v пропускного напряжения @ ЕСЛИ = 1 mAdc
• Поверхностный прибор держателя
• Низкий диод емкости
• Приставка NSVR для автомобильного и другого требования применений

Уникальные требования к места и смены операции; AEC−Q101

Квалифицированный и PPAP способные
• Эти приборы Pb−Free, галоид Free/BFR свободный и RoHS уступчивое

ОТМЕЧАТЬ ДИАГРАММА

Характеристика

Символ

Значение

Блок

Полная доска диссипации FR−5 прибора, (примечание 1)

ЖИВОТИКИ = 25°C
Derate над 25°C

PD

200 1,57

mW mW/°C

Пропускной ток (DC)

ЕСЛИ

200

мамы

Пропускной ток пика Non−Repetitive, tp < 10="" msec="">

IFSM

2

Термальное сопротивление Junction−to−Ambient

RqJA

635

°C/W

Диапазон температур соединения и хранения

TJ, Tstg

−55 to150

°C

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Прибор

Пакет

Грузить

NSR02100HT1G

SOD−323 (Pb−Free)

3 000/лента & вьюрок

NSVR02100HT1G

SOD−323 (Pb−Free)

3 000/лента & вьюрок

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Характеристика

Символ

Минута

Тип

Макс

Блок

Обратное пробивное напряжение (инфракрасн = μA 10)

VR

100

V

Обратная утечка (VR = 50 v)

Инфракрасн

0,05

μAdc

Обратная утечка (VR = 100 v)

Инфракрасн

0,15

mAdc

Пропускное напряжение (ЕСЛИ = 1 mAdc), то

VF

0,45

Vdc

Пропускное напряжение (ЕСЛИ = mAdc 10), то

VF

0,57

Vdc

Пропускное напряжение (ЕСЛИ = mAdc 100), то

VF

0,80

Vdc

Пропускное напряжение (ЕСЛИ = mAdc 200), то

VF

0,95

Vdc

Полная емкость
(VR =1.0V, f=1.0MHz)

CT

4

10

pF

Родственные продукты
Изображение часть # Описание
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
Contact us