Формирование сигнала IC датчика интерфейса датчика IC интерфейса DRV411AIPWPR UART
uart multiplexer ic
,uart level shifter ic
Формирование сигнала IC датчика интерфейса датчика IC интерфейса DRV411AIPWPR UART
ОСОБЕННОСТИ
- Оптимизированный для симметричных Hall-элементов
(например, AKM HW-322, HW-302, или подобное)
-
Закручивая настоящее возбуждение датчика Hall
-
– Исключение смещения и смещения датчика Hall
-
– Исключение шума 1/f
-
-
Выдвинутый настоящий ряд измерения
– Возможность привода H-моста: 250 мам
-
Усилитель разностных сигналов точности:
-
– Смещение и смещение: μV 100 (максимальное), 2 μV/°C (максимального)
-
– Ширина полосы частот системы: 200 КГц
-
-
Ссылка точности:
-
– Точность: 0,2% (максимальный)
-
– Смещение: 50 ppm/°C (максимальных)
-
– Pin-дискретный для 2,5 v, 1,65 v, и Ratiometric режим
-
-
Overrange и флаги ошибки
-
Поставка: 2,7 v до 5,5 v
-
Пакеты: 4 mm × 4 mm QFN и TSSOP-20 PowerPADTM
-
Диапазон температур: – 40°C к +125°C
ПРИМЕНЕНИЯ
-
Модули Настоящ-датчика короткозамкнутого витка
-
Измерение DC и AC настоящее
ОПИСАНИЕ
DRV411 конструировано для того чтобы подготовить элементы InSb Hall для пользы в модулях настоящ-датчика короткозамкнутого витка. DRV411 обеспечивает сети возбуждения точности для Hall-элемента эффектно исключая смещение и смещени-смещение элемента Hall. Этот прибор также обеспечивает H-мост 250-mA для управлять катушкой компенсации датчика также усилитель точности дифференциальный для генерации выходного сигнала. Возможность привода 250-mA H-моста грубо удваивает настоящий ряд измерения сравненный к обычным одно-законченным методам привода.
Цепь датчика Hall первоначальная и дифференциальный усилитель использовать собственническое смещение отменяя методы. Эти методы, вместе с высоко- ссылкой напряжения тока точности, значительно улучшить точность общего модуля настоящ-датчика. Напряжение тока выхода штыр-дискретное для того чтобы поддержать выход 2.5-V для пользы с электропитанием 5-V, так же, как 1.65-V для датчиков 3.3-V.
Для оптимального тепловыделения, DRV411 доступно в термально увеличенный 4 mm × 4 mm QFN и TSSOP-20 с пакетами PowerPAD. DRV411 определено для деятельности над полностью выдвинутым промышленным диапазоном температур – 40°C к +125°C.
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|