Управление IC обязанности Li-иона LDO управления батареи IC управления пути силы BQ2057WSNTR BQ2057WTSTR линейное
power management integrated circuit
,microchip battery management
Управление IC обязанности Li-иона LDO управления батареи IC управления пути силы BQ2057WSNTR BQ2057WTSTR линейное
ОСОБЕННОСТИ
D идеальный для 4,1 v или 4,2 v) и Двойн-клетки (8,2 v или 8,4 v) Li-иона или Li-политика пакетов одиночных (
D требует небольшого числа внешних компонентов
Напряжение тока отключения v d 0,3 для уменьшая тепловыделения
Точность регулирования напряжения d лучшая чем ±1% с заранее поставленными напряжениями тока
Динамическая компенсация d AutoCompt импеданса блока батарей внутреннего для уменьшения времени обязанности
Контроль Клетк-температуры d опционный перед и в течение обязанностью
D интегрировал напряжение тока и действующее положение с Programmable воспринимать Обязанност-настоящих и высоко- или Низко-стороны настоящий
D интегрировал клетку подготовляя для возрождать глубоко Discharged клетки и уменьшать тепловыделение во время отправной точки обязанности
Выход состояния обязанности d для одиночного или двойного интерфейса процессора приведенного или хозяина
Особенность Батаре-перезарядки d автоматическая
Прекращение обязанности d минимальным течением
Режим сна d автоматический маломощный когда VCC извлечется
D EVMs доступное для быстрой оценки
Упаковка d: 8-Pin SOIC, 8-Pin TSSOP, 8-Pin
ОПИСАНИЕ
Обязанност-управление ICs Лити-иона (Li-иона) и Лити-полимера серии BENCHMARQ bq2057 предварительное (Li-политика) линейное конструировано для стоить чувствительной и компактной портативной электроники. Они совмещают течение и стабилизацию напряжения высоко-точности, подготовлять батареи, контроль температуры, прекращение обязанности, индикацию обязанност-состояния, и скорость заряда AutoComp компенсация в одиночном 8 штыре IC. Варианты пакета MSOP, TSSOP, и SOIC предложены для приспособления широкого диапазона применений конца.
Bq2057 непрерывно измеряет температуру батареи используя внешний термистор. Для безопасности, bq2057 блокирует обязанность до тех пор пока температура батареи не будет находиться внутри определяемые пользователем пороги. Bq2057 после этого поручает батарею в 3 участках: подготовлять, постоянн течение, и постоянн напряжение тока. Если напряжение тока батареи под порогом низшего напряжения, то v (минута), дозарядки bq2057 используя низкоточное для того чтобы подготовить батарею. Подготовляя скорость заряда составляет около 10% из течения регулировки. Подготовляя течение также уменьшает тепловыделение во внешнем элементе пропуска во время отправной точки обязанности. После подготовлять, bq2057 прикладывает постоянн течение к батарее. Внешний чувств-резистор устанавливает течение. Чувств-резистор может находиться на или высокой или низкой стороне батареи без дополнительных компонентов. Постоянн-настоящий участок продолжается до тех пор пока батарея не будет достигать напряжение тока обязанност-регулировки.
Bq2057 после этого начинает участок постоянн-напряжения тока. Точность стабилизации напряжения лучшая чем ±1% над рядами рабочей температуры и подачи напряжения. Для одиночных и двойных клеток, bq2057 предложено в 4 версиях фиксированн-напряжения тока: 4,1 v, 4,2 v, 8,2 v, и 8,4 стопов V. Поручать когда перепады тока к порогу прекращения обязанности, I (ТЕРМИНЕ). Bq2057 автоматически перезагружать обязанность если напряжение тока батареи понижается под v порогом (RCH).
Дизайнер также может использовать особенность AutoComp для уменьшения поручить время. Этот собственнический метод позволяет сейфу и динамической компенсации для внутреннего импеданса блока батарей во время обязанности.
ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ
|
ЖИВОТИКИ |
ПАКЕТ |
|||
|
НАПРЯЖЕНИЕ ТОКА ОБЯЗАННОСТИ РЕГУЛИРОВАННОЕ |
SOIC (SN) |
TSSOP (TS) |
† MSOP (DGK) |
|
|
−20°C к 70°C |
4,1 v |
Не доступный |
bq2057TS |
bq2057DGK |
|
4,2 v |
bq2057CSN |
bq2057CTS |
bq2057CDGK |
|
|
8,2 v |
Не доступный |
bq2057TTS |
Не доступный |
|
|
8,4 v |
bq2057WSN |
bq2057WTS |
||
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|