Датчик управления 1s-4s батареи IC управления пути силы BQ40Z50RSMR-R1 с интегрированным AFE
battery charge management ic
,power management integrated circuit
Датчик управления 1s-4s батареи IC управления пути силы BQ40Z50RSMR-R1 с интегрированным AFE
Особенности 1
- Полностью интегрированные менеджер и предохранение от блока батарей клетки Li-иона 1-Series, 2-Series, 3-Series, и 4-Series или Li-полимера
-
Запатентованная следующим поколени технология TrackTM импеданса точно измеряет доступную обязанность в батареях Li-иона и Li-полимера
-
Высокий привод FET предохранения от стороны N-CH
-
Интегрированная клетка балансируя пока поручающ или в покое
-
Полный массив Programmable особенностей защиты
-
– Напряжение тока
-
– Настоящий
-
– Температура
-
– Перерыв обязанности
-
– FETs CHG/DSG
-
– AFE
-
-
Изощренные алгоритмы обязанности
-
– JEITA
-
– Увеличенный поручать
-
– Приспособительный поручать
-
– Балансировать клетки
-
-
Поддерживает режим ПОДДЕРЖКИ TURBO
-
Пункт отключения батареи поддержек (BTP)
-
Диагностические монитор данным по продолжительности жизни и рекордер черного ящика
-
Дисплей СИД
-
Интерфейс SMBus v1.1 поддержек двухпроводной
-
Удостоверение подлинности SHA-1
-
Компактный пакет: 32-Lead QFN (RSM)
2 применения
-
ПК тетради/Netbook
-
Медицинский и испытательное оборудование
-
Портативное инструментирование
Описание 3
Bq40z50-R1 прибор, включая запатентованная технология TrackTM импеданса, полно интегрированные, одно-обломок, основанное на пакет решение которое обеспечивает богатый массив особенностей для газа калибруя, защита, и удостоверение подлинности для 1 серии, 2 серий, 3 серий, и 4 - блоки батарей Li-иона и Li-полимера клетки серии.
Используя свои интегрированные высокопроизводительные сетноые-аналогов peripherals, измерения прибора bq40z50-R1 и поддерживают точный показатель наличной мощности, напряжения тока, течения, температуры, и других критических параметров в батареях Li-иона или Li-полимера, и сообщают эту информацию к регулятору хозяина системы над интерфейсом SMBus v1.1 совместимым.
Данные по прибора
|
НОМЕР ДЕТАЛИ |
ПАКЕТ |
РАЗМЕР ТЕЛА (NOM) |
|
bq40z50-R1 |
VQFN (32) |
4,00 mm × 4,00 mm |
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас
| Изображение | часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|