	Изображение	часть #	Описание	производитель	Запас	RFQ
		IGBT 600V 22A 156W изолировало транзистор IRGB10B60KDPBF ворот двухполярный	IGBT NPT 600 v 22 a 156 w до отверстие TO-220AB
		Транзистор Mosfet силы MGW12N120D изолировал транзистор ворот двухполярный с Анти--параллельным диодом	IGBT
		ИЗОЛИРОВАННЫЕ IRG4BC30UD СТРОБИРУЮТ ДВУХПОЛЯРНЫЙ mosfet низкой мощности ТРАНЗИСТОРА	IGBT 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
		ИЗОЛИРОВАННЫЕ IRG4BC20KDPBF СТРОБИРУЮТ ДВУХПОЛЯРНЫЙ mosfet низкой мощности ТРАНЗИСТОРА	IGBT 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
		Высокий транзистор електропроводимостьи IGBT/высокоскоростное напряжение тока 75V переключая диода BAV99	Держатель v 150mA поверхностный TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 соединения серии 75 1 пары массива диода
		Высокоточный транзистор с эффектом поля MBR20100CTP изолированный биполярный транзистор	Катод 100 v 1 пары массива диода общий до отверстие TO-220-3
		TC4421AVOA Микросхема интегральной схемы 9A Высокоскоростные драйверы MOSFET	Водитель IC ворот Низко-стороны переворачивая 8-SOIC