Фильтры
Фильтры
Электронные блоки
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRG4IBC20UDPBF Транзистор с эффектом поля |
IGBT 600 v 11,4 a 34 w до отверстие TO-220AB Полно-Пак
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель v 4.2A N-канала 20 (животики) 1.25W (животики) поверхностный Micro3™/SOT-23
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
Транзистор с эффектом поля VS-ETH1506S-M3 |
Держатель v 15A поверхностный TO-263AB диода 600 (² ПАК d)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UDPBF Транзистор с эффектом поля |
IGBT 600 v 55 a 200 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50WPBF Транзистор с эффектом поля |
IGBT 900 v 51 a 200 w до отверстие TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF3710STRLPBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель D2PAK поверхности v 57A N-канала 100 (Tc) 200W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRLML0060TRPBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель v 2.7A N-канала 60 (животики) 1.25W (животики) поверхностный Micro3™/SOT-23
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50KDPBF Транзистор с эффектом поля |
IGBT 600 v 52 a 200 w до отверстие TO-247AC
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
IRF640PBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) через отверстие TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
CDSOT23-SM712 IC Chip Programming Circuit Board RS-485 Защита портов |
26V, 14V сцепление 17A (8/20μs) Ipp Tvs Диодная поверхность монтаж SOT-23-3
|
Bourns
|
|
|
|
|
|
TIL117M Электронные компоненты интегральная схема микросхема Программа памяти |
Транзистор оптоизолятора с базовым выходом 7500Впк 1 канал 6-DIP
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
BT1155 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - |
SCR 500 V 4 Чувствительные ворота через отверстие TO-220AB
|
сделанный в фарфоре
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС VS-HFA25TB60PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диод 600 v 25A до отверстие TO-220AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
PDTC144ET Чип-диод Новый и оригинальный запас |
Предварительный биполярный транзистор (BJT)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFS4115TRLPBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель D2PAK поверхности v 195A N-канала 150 (Tc) 375W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
V40150C-E3/4W Транзистор с эффектом поля |
Катод 150 v 20A 1 пары массива диода общий до отверстие TO-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TRPBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель v 5.3A N-канала 30 (животики) 1.3W (животики) поверхностный Micro3™/SOT-23
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
2N7002BKS,115 НОВЫЕ И ОРИГИНАЛЬНЫЕ В НАЛИЧИИ |
Mosfet одевает держатель 6-TSSOP поверхности 295mW 60V 300mA (животиков)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRF830BPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 500 v 5.3A (Tc) 104W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС S3D-E3/57T НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 3A поверхностный DO-214AB диода 200 (SMC)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС SI3456DDV-T1-GE3 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 30 v 6.3A (Tc) 1.7W (животики), (Tc) держатель 6-TSOP поверхности 2.7W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС SUP85N03-04P-E3 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канал 30 v 85A (Tc) 3.75W (животики), 166W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRF8736TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 18A N-канала 30 (животики) 2.5W (животики) поверхностный 8-SO
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BAS516 Новый и оригинальный запас |
Держатель v 250mA поверхностный SOD-523 диода 75
|
Полупроводник Good-Ark
|
|
|
|
|
|
SIR688DP-T1-GE3 Транзистор с эффектом поля |
N-канал 60 v 60A (Tc) 5.4W (животики), (Tc) держатель PowerPAK® SO-8 поверхности 83W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF3205ZPBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 55 v 75A (Tc) 170W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF3205PBF Транзистор с эффектом поля |
N-Channel 55 В 110A (Tc) 200Вт (Tc) Сквозное отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF3710ZPBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 100 v 59A (Tc) 160W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BYG10M-E3/TR Транзистор с эффектом поля |
Держатель v 1.5A поверхностный DO-214AC диода 1000 (SMA)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF2807PBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 75 v 82A (Tc) 230W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF2804STRLPBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель D2PAK поверхности v 75A N-канала 40 (Tc) 300W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF2805STRLPBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель D2PAK поверхности v 135A N-канала 55 (Tc) 200W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF2804PBF Транзистор с эффектом поля |
N-канал 40 v 75A (Tc) 300W (Tc) до отверстие TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS4310ZTRLPBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель D2PAK поверхности v 120A N-канала 100 (Tc) 250W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS7530TRLPBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель PG-TO263-2 поверхности v 195A N-канала 60 (Tc) 375W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS4127TRLPBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель D2PAK поверхности v 72A N-канала 200 (Tc) 375W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
Транзистор с эффектом поля IRFS38N20DTRLP |
N-канал 200 v 43A (Tc) 3.8W (животики), (Tc) держатель D2PAK поверхности 300W
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS3607TRLPBF Транзистор с эффектом поля |
Держатель D2PAK поверхности v 80A N-канала 75 (Tc) 140W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС DMG3415U-7 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 4A P-канала 20 (животики) 900mW (животики) поверхностный SOT-23-3
|
ДИОДЫ
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС SMAJ48A-E3/61 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
77.4V держатель DO-214AC диода ТВ струбцины 5.2A Ipp поверхностный (SMA)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС P6SMB24A-E3/52 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
33.2V Clamp 18.1A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMB)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VS-EPH3006-F3 Новый и оригинальный запас |
Диод 600 В 30А Сквозное отверстие TO-247AC Модифицированный
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС 43CTQ100 НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диодная матрица 1 пара с общим катодом 100 В 20 А Сквозное отверстие TO-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFH5215TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канальный 150 В 5 A (Ta), 27 A (Tc) 3,6 Вт (Ta), 104 Вт (Tc) PQFN для поверхностного монтажа (5x6)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFHM830TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канальный 30 В 21 A (Ta), 40 A (Tc) 2,7 Вт (Ta), 37 Вт (Tc) Монтаж на поверхность 8-PQFN-Dual (3,3
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF7301TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель 8-SO массива 20V 5.2A 2W Mosfet поверхностный
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС транзистора влияния поля IRF7451TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Держатель v 3.6A N-канала 150 (животики) 2.5W (животики) поверхностный 8-SO
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFH5015TRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
N-канальный 150 В 10 А (Ta), 56 А (Tc) 3,6 Вт (Ta), 156 Вт (Tc) Монтаж на поверхность 8-PQFN (5x6)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС IRFH4253DTRPBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Массив МОП-транзисторов 25 В, 64 А, 145 А, 31 Вт, 50 Вт для поверхностного монтажа PQFN (5x6)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
ЗАПАС VS-30CPQ100PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ |
Диодная матрица 1 пара с общим катодом 100 В 15 А сквозное отверстие TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|