Фильтры
Фильтры
Электронные обломоки IC
| Изображение | часть # | Описание | производитель | Запас | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
PDZ3.3B,115 Диод высокого напряжения Новый и оригинальный |
Стабилитрон 3,3 v 400 держатель SOD-323 mW ±2% поверхностный
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
PMLL4448,135 Диод высокой мощности Новый и оригинальный |
Держатель v 200mA поверхностный LLDS диода 75; MiniMelf
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAW56S,135 Транзистор с эффектом поля |
Диодная матрица, 2 пары, общий анод, 90 В, 250 мА (постоянный ток), для поверхностного монтажа 6-TSS
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BC807,215 Транзистор с эффектом поля |
Двухполярный транзистор (BJT) PNP 45 v 500 мам 80MHz держатель TO-236AB 250 mW поверхностный
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCP52-16 Новый и оригинальный запас |
Двухполярный транзистор (BJT) PNP 60 v 1 держатель SOT-223 50MHz 1,4 w поверхностный
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BCP54-16E6433 Новый и оригинальный запас |
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 45 v 1 держатель SOT-223 100MHz 2 w поверхностный
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BCP54-16-TP Новый и оригинальный запас |
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 45 v 1 100MHz держатель SOT-223 300 mW поверхностный
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
BCP5416TA Новый и оригинальный запас |
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 45 v 1 держатель SOT-223-3 150MHz 2 w поверхностный
|
ДИОДЫ
|
|
|
|
|
|
VS-ETH1506-M3 Изолированный транзистор с эффектом поля |
Диод 600 v 15A до отверстие TO-220AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
10CTQ150 VISHAY Мосфетовые транзисторы высокой мощности Новый оригинальный сертификат ROHS |
Катод 150 v 5A 1 пары массива диода общий до отверстие TO-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
ROHS Стандартный транзистор с эффектом поля IRLR024NTRPBF |
Держатель D-Пак поверхности v 17A N-канала 55 (Tc) 45W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
Прецизионный транзистор с эффектом поля, одобренный ROHS SIHW30N60E-GE3 |
N-канал 600 v 29A (Tc) 250W (Tc) до отверстие TO-247AD
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54A Новый и оригинальный запас |
Держатель v 200mA поверхностный TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 анода 30 1 пары массива диода общий
|
Фэйрчайлд
|
|
|
|
|
|
BAT54C Новый и оригинальный запас |
Держатель v 200mA поверхностный TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 катода 30 1 пары массива диода общий
|
Полупроводник Good-Ark
|
|
|
|
|
|
BAT54S Новый и оригинальный запас |
Держатель v 200mA поверхностный TO-236-3, SC-59, ссылка соединения серии 30 1 пары массива диода кли
|
Полупроводник Good-Ark
|
|
|
|
|
|
BAT54SW Новый и оригинальный запас |
Держатель v 200mA поверхностный SC-70, SOT-323 соединения серии 30 1 пары массива диода
|
Полупроводник Diotec
|
|
|
|
|
|
BAT54SW Новый и оригинальный запас |
Диодный массив 1 пары серии соединения 30 V 200mA (DC) Поверхностная установка SC-70, SOT-323
|
Тайвань Полупроводник Корпорация
|
|
|
|
|
|
BAT54W Новый и оригинальный запас |
Держатель v 200mA поверхностный SOT-323 диода 30
|
Полупроводник Diotec
|
|
|
|
|
|
BAT54W Новый и оригинальный запас |
Держатель v 200mA поверхностный SOT-323 диода 30
|
Тайвань Полупроводник Корпорация
|
|
|
|
|
|
BAT721C,215 Новый и оригинальный запас |
Держатель TO-236-3 поверхности v 200mA катода 40 1 пары массива диода общий (DC), SC-59, SOT-23-3
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT721S,215 Новый и оригинальный запас |
Держатель TO-236-3 поверхности v 200mA соединения серии 40 1 пары массива диода (DC), SC-59, SOT-23-
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT721S_R1_00001 Новый и оригинальный запас |
Держатель TO-236-3 поверхности v 200mA соединения серии 40 1 пары массива диода (DC), SC-59, SOT-23-
|
Производитель
|
|
|
|
|
|
BAT721S,215 Транзистор с эффектом поля НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Держатель TO-236-3 поверхности v 200mA соединения серии 40 1 пары массива диода (DC), SC-59, SOT-23-
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT74,215 Транзистор с эффектом поля НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
Диод одевает 2 независимых 30 (DC) держатель TO-253-4 поверхности v 200mA, TO-253AA
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT74,235 Транзистор с эффектом поля НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Диод одевает 2 независимых 30 (DC) держатель TO-253-4 поверхности v 200mA, TO-253AA
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT74S,135 Транзистор с эффектом поля НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Диод одевает 2 независимых 30 (DC) держатель 6-TSSOP поверхности v 200mA, SC-88, SOT-363
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT74S/S500X Транзистор с эффектом поля НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
Диод одевает 30 v поверхностный держатель TO-253-4, TO-253AA
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT74S,135 Транзистор с эффектом поля НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Диод одевает 2 независимых 30 (DC) держатель 6-TSSOP поверхности v 200mA, SC-88, SOT-363
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT74S,115 Транзистор с эффектом поля НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Диод одевает 2 независимых 30 (DC) держатель 6-TSSOP поверхности v 200mA, SC-88, SOT-363
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT754S,215 Транзистор с эффектом поля НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Держатель TO-236-3 поверхности v 200mA соединения серии 30 1 пары массива диода (DC), SC-59, SOT-23-
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT754L,115 Транзистор с эффектом поля НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Диод одевает 3 независимых 30 (DC) держатель 6-TSSOP поверхности v 200mA, SC-88, SOT-363
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT760Z Транзистор с эффектом поля НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ СТОК |
Держатель v 1A поверхностный SOD-323 диода 20
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT760Q-7 Транзистор с эффектом поля НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Держатель v 1A поверхностный SOD-323 диода 30
|
ДИОДЫ
|
|
|
|
|
|
BAT760,115 Транзистор с эффектом поля НОВЫЙ И ОРИГИНАЛЬНЫЙ |
Держатель v 1A поверхностный SOD-323 диода 20
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAV102 Транзистор с эффектом поля |
Держатель v 200mA поверхностный SOD-80 диода 150
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
BAV170 Транзистор с эффектом поля Новый и оригинальный |
Держатель TO-236-3 поверхности v 125mA катода 85 1 пары массива диода общий (DC), SC-59, SOT-23-3
|
ДИОДЫ
|
|
|
|
|
|
BAV170 Транзистор с эффектом поля Новый и оригинальный |
Держатель TO-236-3 поверхности v 125mA катода 85 1 пары массива диода общий (DC), SC-59, SOT-23-3
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
Транзистор с эффектом поля BAV20 |
Диод 200 v 200mA до отверстие DO-35
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
Транзистор с эффектом поля BAV20 |
Диод 150 v 200mA до отверстие DO-35
|
ДИОДЫ
|
|
|
|
|
|
Транзистор с эффектом поля BAV21 |
Диод 200 v 200mA до отверстие DO-35
|
Полупроводник Diotec
|
|
|
|
|
|
Транзистор с эффектом поля BAV20 |
Диод 150 В 250мА сквозное отверстие DO-35
|
Полупроводник Diotec
|
|
|
|
|
|
Транзистор с эффектом поля BAV21 |
Диод 250 v 200mA до отверстие DO-35
|
На полу / на полукатализатор
|
|
|
|
|
|
BC846B Транзистор с эффектом поля |
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 65 v 100 мам 100MHz держатель SOT-23 200 mW поверхностный
|
Тайвань Полупроводник Корпорация
|
|
|
|
|
|
BC846BW Транзистор с эффектом поля |
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 65 v 100 мам 100MHz держатель SOT-323 200 mW поверхностный
|
Полупроводник Diotec
|
|
|
|
|
|
BAT54CW Новый и оригинальный запас |
Держатель v 200mA поверхностный SC-70, SOT-323 катода 30 1 пары массива диода общий
|
Полупроводник Diotec
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H390JA01D MLCC конденсатор Новый и оригинальный запас |
39 керамический конденсатор pF ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 метрическое)
|
Мурата
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H471GA01D MLCC конденсатор Новый и оригинальный запас |
470 керамический конденсатор pF ±2% 50V C0G, NP0 0402 (1005 метрическое)
|
Мурата
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H470JA01D MLCC конденсатор Новый и оригинальный запас |
47 керамический конденсатор pF ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 метрическое)
|
Мурата
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H431JA01D MLCC конденсатор новый и оригинальный |
430 керамический конденсатор pF ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 метрическое)
|
Мурата
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H430JA01D MLCC конденсатор новый и оригинальный запас |
43 керамический конденсатор pF ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 метрическое)
|
Мурата
|
|
|