Отправить сообщение
Дом > продукты > Обломок IC флэш-памяти > IS61LV25616AL -10TLI SRAM - асинхронная память IC 4Mbit параллельные 10 ns 44-TSOP II

IS61LV25616AL -10TLI SRAM - асинхронная память IC 4Mbit параллельные 10 ns 44-TSOP II

Категория:
Обломок IC флэш-памяти
Цена:
Negotiate
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Терминальное напряжение тока по отношению к GND:
– 0,5 к Vdd+0.5 v
Температура хранения:
– °C 65 до +150
Диссипация силы:
1,0 w
Высокое напряжение выхода:
2,4 V
Низшее напряжение выхода:
0,4 V
Высокое напряжение входного сигнала:
2,0 к Vdd + 0,3 v
Самое интересное:

обломок в электронике

,

интегральные схемаы малого масштаба

Введение

IS61LV25616AL

256K x RAM CMOS 16 БЫСТРЫХ ХОДОВ АСИНХРОННЫЙ СТАТИЧЕСКИЙ С ПОСТАВКОЙ 3.3V

ОСОБЕННОСТИ

• Высокоскоростное время выборки:

— 10, 12 ns

• Деятельность низкой мощности CMOS

• Низкий стойк- силой:

— Меньше чем 5 мам (тип.) CMOS стойк-

• Уровни интерфейса TTL совместимые

• Одиночное электропитание 3.3V

• Полностью статическая деятельность: никакие часы или не освежают требовать

• 3 выхода государства

• Контроль данных для верхних и более низких байт

• Промышленная температура доступная

• Неэтилированное доступное

ОПИСАНИЕ

ISSI IS61LV25616AL высокоскоростное, RAM 4 194 304 битов статический организованный как 262 144 слова 16 битами. Оно изготовлен используя технологию CMOS ISSI высокопроизводительную. Этот сильно надежный процесс соединенный с новаторскими методами расчета цепи, приборами расхода энергии andlow выходов высокопроизводительными.

Когда CE ВЫСОКО (отсеиванный), прибор принимает режим ожидания на который диссипацию силы можно уменьшить вниз с уровнями входного сигнала CMOS.

Легкое расширение памяти обеспечено путем использование обломока позволяет и выход включает входные сигналы, CE и OE. Активный НИЗКИЙ УРОВЕНЬ пишет позволяет (МЫ) контролирует и сочинительство и чтение памяти. Байт данных позволяет верхнему байту (UB) и более низкому доступу байта (LB).

IS61LV25616AL упаковано в штыре стандарта 44 JEDEC SOJ 400 mil, 44 тип II, 44 штырь LQFP и 48 штырь мини BGA штыря TSOP (8mm x 10mm).

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (1)

Символ Параметр Значение Блок
Vterm Терминальное напряжение тока по отношению к GND – 0,5 к Vdd+0.5 V
Tstg Температура хранения – 65 до +150 °C
Pt Диссипация силы 1,0 W

Примечание: 1. стресс более большой чем те перечисленные под АБСОЛЮТНЫМ МАКСИМУМОМ ОЦЕНОК может причинить постоянное повреждение к прибору. Это оценка стресса только и не подразумевается функциональная деятельность прибора на этих или всех других условий над теми показанными в рабочих разделах этой спецификации. Подвержение к абсолютному максимуму классифицируя условий на выдвинутые периоды может повлиять на надежность.

РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН

VDD
Ряд Температура окружающей среды 10ns 12ns
Реклама 0°C к +70°C 3.3V +10%, -5% 3.3V + 10%
Промышленный – 40°C к +85°C 3.3V +10%, -5% 3.3V + 10%

ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ БЛОК-СХЕМА

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали. Количество Бренд D/C Пакет
H11G1SR2M 3977 ФЭЙРЧАЙЛД 10+ SOP-6
H11L1SR2M 14256 ФЭЙРЧАЙЛД 16+ SOP
H1260NL 10280 ИМП УЛЬС 15+ SMD
HA17324 3948 RENESAS 14+ DIP-14
HA17324ARPEL-E-Q 7361 RENESAS 15+ SOP-14
HCF4051BEY 3919 ST 16+ ПОГРУЖЕНИЕ
HCF4052M013TR 7598 ST 13+ SOP-16
HCF4060BE 18658 ST 14+ ПОГРУЖЕНИЕ
HCNR200 6587 AVAGO 15+ DIPSOP
HCNR200-000E 7432 AVAGO 15+ ПОГРУЖЕНИЕ
HCNW2611-000E 5720 AVAGO 16+ DIP-8
HCNW4502 6210 AVAGO 13+ SOP
HCPL-0466 3551 AVAGO 15+ SOP-8
HCPL-0630 15108 AVAGO 16+ SOP-8
HCPL-0639 5791 ФЭЙРЧАЙЛД 13+ SOP-8
HCPL-181-000E 9000 AVAGO 16+ SOP-4
HCPL-2602 8795 AVAGO 16+ SOP-8
HCPL2630SD 2204 FSC 16+ SOP
HCPL-2731 15179 AVAGO 13+ DIPSOP
HCPL-3120 9870 AVAGO 15+ DIPSOP
HCPL-316J 13751 AVAGO 12+ SOP-18
HCPL-4504 21001 AVAGO 16+ DIPSOP
HCPL-4506 12623 AVAGO 14+ DIP-8
HCPL-7840-500E 5971 AVAGO 15+ SOP
HCPL-786J 13822 AVAGO 16+ SOP-16
HD06-T 54000 ДИОДЫ 15+ SMD
HD64F3687FPV 3168 RENESAS 14+ TQFP-64
HD74LS00P 8647 RENESAS 16+ DIP-14
HD74LS04P 8718 RENESAS 13+ DIP-14
HD74LS125P 8931 RENESAS 15+ ПОГРУЖЕНИЕ

Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
10pcs