Микроконтроллер обломока PIC18F452-I/L электронной IC увеличенный высокой эффективностью ВНЕЗАПНЫЙ

PIC18FXX2

28/40-pin высокая эффективность, увеличенные ВНЕЗАПНЫЕ микроконтроллеры с 10-Bit A/D

C.P.U. высокой эффективности RISC:

• Архитектура/набор инструкций оптимизированные C-компилятором

- Исходный код совместимый с наборами инструкций PIC16 и PIC17

• Линейный адресовать памяти программы до 32 кбайта

• Линейный адресовать памяти данных до 1,5 кбайта

• До 10 MIPs деятельности:

- DC - 40 MHz входного сигнала генератора. /clock

- 4 MHz - 10 MHz входного сигнала генератора. /clock с PLL активным

• шестнадцатиразрядные широкие инструкции, 8-разрядный широкий информационный канал

• Уровни приоритета для прерываний

• одиночный множитель оборудования цикла 8 x 8

Периферийные особенности:

• Сильнотоковые мамы mA/25 раковины/источника 25

• 3 штыря внешних прерывания

• Модуль Timer0: 8-разрядные/шестнадцатиразрядные таймер/счетчик с 8-разрядным programmable prescaler

• Модуль Timer1: шестнадцатиразрядные таймер/счетчик

• Модуль Timer2: 8-разрядные таймер/счетчик с 8-разрядным регистром периода (линией времени для PWM)

• Модуль Timer3: шестнадцатиразрядные таймер/счетчик

• Вторичный вариант часов генератора - Timer1/Timer3

• 2 модуля захвата/Compare/PWM (CCP). Штыри CCP которые можно установить как:

- Входной сигнал захвата: захват шестнадцатиразрядное, максимальное разрешение 6,25 ns (TCY/16)

- Compare шестнадцатиразрядное, максимальное разрешение 100 ns (TCY)

- Выход PWM: Разрешение PWM 1 - до сдержанное 10,

максимальное freq PWM. @: 8-разрядное разрешение = 156 КГц

разрешение 10-bit = 39 КГц

• Модуль серийного порта мастера одновременный (MSSP), режим 2 из деятельности:

- 3 провод SPI™ (поддержки все 4 режима SPI)

- Ямастер²C™иневольничийрежим

Периферийные (продолжаемые) особенности:

• Addressable модуль USART:

- Поддержки RS-485 и RS-232

• Параллельный невольничий модуль порта (PSP)

Сетноые-аналогов особенности:

• Совместимые 10 сдержанный модуль аналого-цифрового преобразователя (A/D) с:

- Быстрая частота отсчетов

- Преобразование доступное во время СНА

- ≤ 1 LSb линеарностей

• Programmable обнаружение низшего напряжения (PLVD)

- Поддержки прерывают на-низкое обнаружение напряжения тока

• Programmable возврат Брауна-вне (BOR)

Особенные особенности микроконтроллера:

• 100 000 стираний/пишет увеличенную циклом ВНЕЗАПНУЮ память программы типичную

• 1 000 000 стираний/пишет память данным по EEPROM цикла

• Удерживание FLASH/Data EEPROM: > 40 лет

• Само-reprogrammable под управлением программного обеспечения

• Возврат включения питания (POR), таймер включения питания (PWRT) и таймер запуска генератора (OST)

• Таймер сторожевого пса (WDT) со своим собственным генератором На-обломока RC для надежной деятельности

• Programmable предохранение от кода

• Режим СНА энергосбережения

• Дискретные варианты генератора включая:

- петля замка участка 4X (основного генератора)

- Вторичный входной сигнал часов генератора (32 КГц)

• Одиночная В-цепь серийное Programming™ поставки 5V (ICSP™) через 2 штыря

• В-цепь отлаживает (ICD) через 2 штыря

Технология CMOS:

• Низкая мощность, высокоскоростная технология FLASH/EEPROM

• Полностью статический дизайн

• Широкий ряд рабочего потенциала (2.0V к 5.5V)

• Промышленные и выдвинутые диапазоны температур

• Потребление низкой мощности:

- < 1="">

- 25 µA типичное @ 3V, 32 КГц

- < 0="">

Диаграммы Pin

Абсолютный максимум оценок (†)

Температура окружающей среды под смещением ............................................................................. - 55°C к +125°C

Температура хранения ............................................................................................. -65°C к +150°C

Напряжение тока на любом штыре по отношению к VSS (за исключением VDD, MCLR, и RA4) ......... -0.3V к (VDD + 0.3V)

Напряжение тока на VDD по отношению к VSS .......................................................................... -0.3V к +7.5V

Напряжение тока на MCLR по отношению к VSS (примечанию 2) .......................................................... 0V к +13.25V

Напряжение тока на RA4 по отношению к Vss ................................................................................ 0V к +8.5V

Диссипация полной силы (примечание 1) ............................................................................................... 1.0W

Максимальное течение из штыря VSS ........................................................................................... 300 мам

Максимальное течение в штырь VDD .............................................................................................. 250 мам

Течение струбцины входного сигнала, IIK (VI< 0="" or="" V=""> я > VDD) .......................................................................... мамы ±20

Течение струбцины выхода, мамы ±20 IOK< 0="" or="" V=""> (VO o > VDD) ..................................................................

Течение максимального выпуска продукции утонутое любым штырем I/O ............................................................................ 25 мам

Течение максимального выпуска продукции найденное любым штырем I/O ...................................................................... 25 мам

Максимальное течение утонутое PORTA, PORTB, и PORTE ((совмещенным) примечанием 3) ........................ 200 мам

Максимальное течение найденное PORTA, PORTB, и PORTE ((совмещенным) примечанием 3) ................... 200 мам

Максимальное течение утонутое PORTC и PORTD ((совмещенным) примечанием 3) ....................................... 200 мам

Максимальное течение найденное PORTC и PORTD ((совмещенным) примечанием 3) .................................. 200 мам

Примечание

1: Диссипация силы высчитана следующим образом: Pdis = VDD x {IDD - ∑ IOH} + ∑ {(VDD-VOH) x IOH} + ∑ (VOL. x IOL)

2: Шипы напряжения тока под VSS на штыре MCLR/VPP, наводя мам течений большие чем 80, могут причинить latchup. Таким образом, резистор серии 50-100Ω должен быть использован при приложении «низкого» уровня к штырю MCLR/VPP, а не вытягивающ этот штырь сразу к VSS.

3: PORTD и PORTE не доступные на приборах PIC18F2X2.

ИЗВЕЩЕНИЕ О †: Стрессы над теми перечисленными под «абсолютным максимумом оценок» могут причинить постоянное повреждение к прибору. Это оценка стресса только и не подразумевается функциональная деятельность прибора на тех или всех других условий над теми показала в перечислениях деятельности этой спецификации. Подвержение к условиям максимума классифицируя на выдвинутые периоды может повлиять на надежность прибора.

Предложение запаса (горячее надувательство)