Отправить сообщение
Дом > продукты > Управление ICs силы > BTS721L1 Electronic IC Chips Smart Четырехканальный переключатель питания Highside

BTS721L1 Electronic IC Chips Smart Четырехканальный переключатель питания Highside

производитель:
Производитель
Описание:
N-канал 2.5A PG-DSO-20 1:1 переключателя мощности/водителя
Категория:
Управление ICs силы
Цена:
Negotiate
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Подача напряжения:
43 В
Подача напряжения для полного предохранения от короткого замыкания:
34 v
Рабочая температура:
-40… °C +150
Температура хранения:
-55… °C +150
Возможность электростатической разрядки (ESD) (модель человеческого тела):
1,0 kV
Предохранение от сброса нагрузки:
60 v
Самое интересное:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Введение

 

Интеллектуальный четырехканальный переключатель питания Highside

 

 

Функции

• Защита от перегрузки

• Текущее ограничение

• Защита от короткого замыкания

• Тепловое отключение

 

• Защита от перенапряжения (включая сброс нагрузки)

• Быстрое размагничивание индуктивных нагрузок

• Защита от обратной батареи1)

• Отключение при пониженном и повышенном напряжении с автоматическим перезапуском и гистерезисом

 

• Диагностический выход открытого стока

• Обнаружение открытой нагрузки во включенном состоянии

• КМОП-совместимый вход

• Потеря заземления и потеря защиты Vbb

• Защита от электростатического разряда (ЭСР)

                                                                                                                                               

1) С внешним ограничением тока (например, резистор RЗАЗЕМЛЕНИЕ=150 Ом) в соединении GND, резистор последовательно с соединением ST, обратный ток нагрузки ограничивается подключенной нагрузкой.

 

Приложение

• Переключатель питания, совместимый с µC, с диагностической обратной связью для заземленных нагрузок 12 В и 24 В постоянного тока.

• Все типы резистивных, индуктивных и емкостных нагрузок

• Заменяет электромеханические реле и дискретные схемы

 

Общее описание

N-канальный силовой FET-транзистор с подкачкой заряда, CMOS-совместимым входом и диагностической обратной связью с заземлением, монолитно интегрированный в технологию Smart SIPMOS.Обеспечение встроенных защитных функций.

 

Максимальные рейтингив ТДж= 25°C, если не указано иное

Параметр Символ Ценности Единица
Напряжение питания (защита от перенапряжения см. стр. 4) Вбб 43 В
Напряжение питания для полной защиты от короткого замыкания TДж, начни=-40 ...+150°С Вбб 34 В
Ток нагрузки (ток короткого замыкания, см. стр. 5) ял самоограниченный А
Защита от сброса нагрузки2) ВLoadDump= УА + Ус, УА= 13,5 ВРя 3) = 2 Ом, тг= 200 мс;IN= низкий или высокий, каждый канал нагружен Rл= 4,7 Ом, ВЗагрузить дамп4) 60 В

Диапазон рабочих температур

Диапазон температур хранения

тж

ЦТГ

-40 ...+150

-55 ...+150

°С

Рассеиваемая мощность (постоянный ток)5Та = 25°С:

(все каналы активны) Ta = 85°C:

пмалыш

3,7

1,9

Вт

Рассеяние энергии отключения индуктивной нагрузки, одиночный импульс

Вбб=12В, ТДж, начни=150°С5),

ял= 2,9 А, Zл= 58 мГн, 0 Ом один канал:

ял= 4,3 А, Zл= 58 мГн, 0 Ом два параллельных канала:

ял= 6,3 А, Zл= 58 мГн, 0 Ом четыре параллельных канала:

ЕКАК

 

 

0,3

0,65

1,5

Дж
Способность к электростатическому разряду (ESD) (модель человеческого тела) ВЭСР 1,0 кВ

Входное напряжение (пост. ток)

Ток через входной контакт (DC)

Ток через контакт состояния (DC)

ВВ

яВ

яСТ

-10...+16

±2,0

±5,0

В

мА

 

Термическое сопротивление

соединение - точка пайки5),6)каждый канал:

соединение - окружающий5)один канал активен:

все каналы активны:

 

рспс

ртья

 

 

15

41

34

К/Вт

2) Напряжение питания выше Vbb(AZ) требует внешнего ограничения тока для контактов GND и состояния, например, с резистором 150 Ом в соединении GND и резистором 15 кОм последовательно с контактом состояния.Встроенный резистор для защиты входа.

3) RI = внутреннее сопротивление генератора тестовых импульсов сброса нагрузки.

4) ВЗагрузить дампустанавливается без подключенного к генератору тестируемого устройства в соответствии с ISO 7637-1 и DIN 40839.

5) Устройство на эпоксидной плате FR4 размером 50мм*50мм*1,5мм с медной площадью 6см2 (один слой, толщина 70мкм) для соединения Vbb.Плата вертикальная без обдува.См. стр. 15

6) Точка пайки: верхняя сторона края пайки штырька 15 устройства. См. стр. 15.

 

 

 

 

 

Предложение акций (Горячая продажа)

Деталь № Количество Бренд ОКРУГ КОЛУМБИЯ Упаковка
ТОП261YN 2373 ВЛАСТЬ 16+ ТО-220
ТОП264ВГ 8873 ВЛАСТЬ 16+ ЭДИП-12
ТОП266ЕГ 16921 ВЛАСТЬ 10+ ЕСИП-7С
ТОП267ЕГ 7031 ВЛАСТЬ 16+ ЭСИП-8С
ТОП271ЕГ 3488 ВЛАСТЬ 15+ ЕСИП-7С
TORX173 2713 ТОШИБА 16+ ДИП-6
TP3071N-G 5344 НБК 15+ ДИП-20
ТП3404В 1876 ​​г. НБК 16+ PLCC28
ТПА1517ДВПР 10982 ТИ 11+ СОП-20
TPA3113D2PWPR 6422 ТИ 15+ HTSSOP28
TPA3123D2PWR 6127 ТИ 16+ ЦСОП-24
ТПА6120А2ДВПР 3730 ТИ 15+ СОП-20
TPC8109 18035 ТОШИБА 16+ СОП-8
TPC8115-H 24551 ТОШИБА 14+ СОП-8
ТПД1E10B09DPYR 44000 ТИ 15+ X2SON2
ТПД2Е001ДРЛР 17000 ТИ 16+ СОТ-553
ТПД4123К 2950 ТОШИБА 11+ ДИП-26
TPD4S012DRYR 18161 ТИ 16+ СОН-6
TPIC6595DWR 7838 ТИ 14+ СОП-20
ТПИК6Б273ДВР 8162 ТИ 16+ СОП-20
ТПИК6Б596ДВРГ4 4856 ТИ 14+ СОП-20
TPL5010DDCR 7320 ТИ 16+ СОТ23-6
ТПС2041БДВР 18106 ТИ 13+ СОТ23-5
TPS2041CDBVR 24622 ТИ 16+ СОТ23-5
ТПС2042БДР 7385 ТИ 16+ СОП-8
ТПС2046БДР 7505 ТИ 06+ СОП-8
ТПС2052БДР 14753 ТИ 16+ СОП-8
ТПС2054БДР 11053 ТИ 10+ СОП-16
TPS2111PWR 11124 ТИ 08+ ЦСОП-8
ТПС2543РТЕР 4305 ТИ 16+ QFN16

 

 

 

 

Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
20pcs