ТРАНЗИСТОР транзистора Mosfet силы модуля mosfet силы STD4NK60ZT4 | MOSFET | N-КАНАЛ | TO-252AA
power mosfet ic
,multi emitter transistor
STP4NK60Z - STP4NK60ZFP
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N-КАНАЛ 600V - 1.76Ω - 4A TO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK
Zener-защищенный MOSFET SuperMESHTMPower
■ТИПИЧНОЕ Ω 1,76 RDS (дальше) =
■ВЕСЬМА ВЫСОКАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ dv/dt
■ЛАВИНА 100% ИСПЫТАЛА
■ОБЯЗАННОСТЬ ВОРОТ УМЕНЬШИЛА
■ОЧЕНЬ НИЗКИЕ ВНУТРЕННЕПРИСУЩИЕ ЕМКОСТИ
■ОЧЕНЬ ХОРОШЕЕ ИЗГОТОВЛЯЯ REPEATIBILITY
ОПИСАНИЕ
Серия SuperMESHTM получена через весьма оптимизирование плана PowerMESHTM ST солидного stripbased. В дополнение к нажимать на-сопротивление значительно вниз, позабочен особый уход обеспечить очень хорошую возможность dv/dt для самых требовательных применений. Такая серия комплектует полный диапасон ST высоковольтных MOSFETs включая революционные продукты MDmeshTM.
ПРИМЕНЕНИЯ
■СИЛЬНОТОКОВОЕ, ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ
■ИДЕАЛ ДЛЯ ОФФЛАЙНОВЫХ ЭЛЕКТРОПИТАНИЙ, ПЕРЕХОДНИКОВ И PFC
■ОСВЕЩЕНИЕ
АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК
| Символ | Параметр | Значение | Блок | ||
| STP4NK60Z STB4NK60Z | STP4NK60ZFP | STD4NK60Z STD4NK60Z-1 | |||
| VDS | напряжение тока Сток-источника (VGS = 0) | 600 | V | ||
| VDGR | напряжение тока Сток-ворот (RGS = kΩ 20) | 600 | V | ||
| VGS | Напряжение тока источника ворот | ± 30 | V | ||
| ID | Стеките настоящее (непрерывный) на TC = 25°C | 4 | 4 (*) | 4 | |
| ID | Стеките настоящее (непрерывный) на TC = 100°C | 2,5 | 2,5 (*) | 2,5 | |
| IDM (l) | (Пульсированное) течение стока | 16 | 16 (*) | 16 | |
| PTOT | Полная диссипация на TC = 25°C | 70 | 25 | 70 | W |
| Коэффициент снижения номинальной мощности | 0,56 | 0,2 | 0,56 | W/°C | |
| VESD (G-S) | Источник ESD ворот (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) | 3000 | V | ||
| dv/dt (1) | Пиковый наклон напряжения тока спасения диода | 4,5 | V/ns | ||
| VISO | Изоляция выдерживает напряжение тока (DC) | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg | Работая температура соединения Температура хранения | -55 до 150 -55 до 150 | °C °C | ||
ширина ИМПа ульс (l) ограничиваемая безопасной рабочей зоной
(1) ISD ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ v VDD (BR) DSS, ≤ TJMAX Tj.
(*) ограничил только максимальной позволенной температурой
Предложение запаса (горячее надувательство)
| Номер детали. | Q'ty | MFG | D/C | Пакет |
| LMV931MG | 3299 | NSC | 15+ | SC70-5 |
| MC33887VM | 3328 | MC | 16+ | HSOP |
| OPA277PA | 7240 | TI | 15+ | ПОГРУЖЕНИЕ |
| LT1114S14#TR | 5182 | LT | 10+ | SOP-14 |
| MC44BS373CADR2 | 3544 | FREESCALE | 10+ | SOP |
| MAX5024LASA+ | 14550 | СЕНТЕНЦИЯ | 16+ | SOP |
| LNBH23LQTR | 1272 | ST | 14+ | QFN-32 |
| 88E6185-A2-LKJ1C000 | 1211 | MARVELL | 15+ | QFP |
| LM348MX | 6789 | NSC | 13+ | SOP-14 |
| AZ1084CD-ADJTRG1 | 1500 | BCD | 13+ | TO-252 |
| LP3990MFX-3.3 | 4682 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
| PIC16F616T-I/ML | 5163 | МИКРОСХЕМА | 16+ | QFN |
| AAT4280IGU-1-T1 | 4000 | АНАЛОГИЧЕСКИЙ | 15+ | SOT23 |
| PAM3116BLBADJR | 10800 | PAM | 16+ | SOP |
| L1117LG | 10000 | NIKOS | 15+ | SOT-223 |
| MMBFJ310LT1G | 10000 | НА | 16+ | SOT-23 |
| LMV824MX/NOPB | 4163 | NSC | 14+ | SOP-14 |
| MAX-7Q-0-000 | 7492 | СЕНТЕНЦИЯ | 14+ | GPS |
| LM2907MX-8 | 1000 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| OM8744HN | 5740 | 16+ | QFN | |
| PIC16F1939-I/PT | 5223 | МИКРОСХЕМА | 16+ | QFP |
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F
Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC