Транзистор NPN Mosfet силы BFR520 транзистор 9 GHz широкополосный
multi emitter transistor
,silicon power transistors
NPN транзистор 9 GHz широкополосный BFR520
ОСОБЕННОСТИ
• Увеличение наивысшей мощности
• Малошумная диаграмма
• Высокая частота перехода
• Металлизирование золота обеспечивает превосходную надежность.
ОПИСАНИЕ
BFR520 транзистор кремния npn плоскостный эпитаксиальный, запланированный для применений в RF frontend в широкополосных применениях в ряде GHz, как сетноые-аналогов и цифровые мобильные телефоны, бесшнуровые телефоны (CT1, CT2, DECT, etc.), детекторы радиолокатора, пейджеры и тюнеры спутникового телевидения (SATV) и усилители репитера в волокн-оптических системах. Транзистор помещен в пластиковый конверт SOT23
ОГРАНИЧИВАЮЩИЕ ВЕЛИЧИНЫ
В соответствии с абсолютным максимумом системы (IEC 134).
СИМВОЛ | ПАРАМЕТР | УСЛОВИЯ | MIN. | МАКСИМАЛЬНЫЙ. | БЛОК |
VCBO | напряжение тока коллектора- база | открытый излучатель | − | 20 | V |
VCES | напряжение тока коллектор- эмиттера | RBE = 0 | − | 15 | V |
VEBO | напряжение тока излучател-основания | открытый сборник | − | 2,5 | V |
DC C | течение сборника | − | 70 | мамы | |
Ptot | диссипация полной силы | до Ts = °C 97; примечание 1 | − | 300 | mW |
Tstg | температура хранения | −65 | 150 | °C |