Транзистор (Npn) для общих применений Af, высокого течения сборника Bc817-40
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Транзистор AF кремния NPN
• Для применений AF генерала
• Высокое течение сборника
• Сильнотоковое увеличение
• Низкое напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера
• Комплементарные типы: BC807… /W, BC808… /W (PNP)
• Pb свободные от (RoHS уступчивое) package1)
• Квалифицированный согласовывающ AEC Q101
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (TA=25℃ если не указано иное)
Символ | Параметр | Значение | Блоки |
VCBO | Напряжение тока коллектора- база | 50 | V |
VCEO | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 45 | V |
VEBO | Напряжение тока Излучател-основания | 5 | V |
IC | Течение сборника - непрерывное | 0,5 | |
ПК | Диссипация силы сборника | 0,3 | W |
Tj | Температура соединения | 150 | ℃ |
Tstg | Температура хранения | -55-150 | ℃ |
Типичные характеристики