Отправить сообщение
Дом > продукты > Электронные обломоки IC > Интегральные схемаы электроники транзистора BC817-25LT1G NPN общецелевые

Интегральные схемаы электроники транзистора BC817-25LT1G NPN общецелевые

производитель:
Производитель
Описание:
Двухполярный транзистор (BJT) NPN 45 v 500 мам 100MHz держатель SOT-23-3 300 mW поверхностный (TO-23
Категория:
Электронные обломоки IC
Цена:
Negotiation
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
BC817−40LT3:
6C SOT−23 10 000/лента & вьюрок
Напряжение тока Collector−Emitter:
45 v
Напряжение тока Collector−Base:
50 v
Напряжение тока Emitter−Base:
5 v
− течения сборника непрерывное:
mAdc 500
BC817−16LT1:
6A SOT−23 3 000/лента & вьюрок
BC817−25LT1G:
6B SOT−23 (Pb−Free) 3 000/лента & вьюрок
BC817−25LT3G:
6B SOT−23 (Pb−Free) 10 000/лента & вьюрок
Самое интересное:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Введение

Интегральные схемаы электроники транзистора BC817-25LT1G NPN общецелевые

* высокое увеличение и низкий ТИП напряжений тока сатурации КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ – ДЕТАЛЬ BCX68 PARTMARKING – BCX69 – CJ BCX69-16 – CG BCX69-25 – CH

Особенности

• Пакеты Pb−Free доступны

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ

Классифицируя блок значения символа

Напряжение тока VCEO 45 v Collector−Emitter

Напряжение тока VCBO 50 v Collector−Base

Напряжение тока VEBO 5,0 v Emitter−Base

MAdc IC 500 − течения сборника непрерывное

Максимальные оценки те значения за которое повреждение прибора может произойти. Максимальные оценки приложили к прибору индивидуальные предельные значения стресса (нормальные эксплуатационные режимы) и инвалидны одновременно. Если эти пределы превышены, то деятельность прибора функциональная не подразумевается, повреждение может произойти и надежность может быть затронута.

ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Характерный символ Макс

Доска диссипации FR−5 прибора блока полная, (заметьте 1) ЖИВОТИКИ = 25°C

Derate над 25°C PD 225 1,8 сопротивление mW mW/°C термальное,

Junction−to−Ambient RJA 556 °C/W

Полный субстрат глинозема диссипации прибора, (заметьте 2) ЖИВОТИКИ = 25°C

Derate над 25°C PD 300 2,4 mW mW/°C

Термальное сопротивление, Junction−to−Ambient RJA 417 °C/W

Температура TJ соединения и хранения, Tstg −55 к °C +150

1. FR−5 = 1,0 x 0,75 x 0,062 внутри.

2. Глинозем = 0,4 x 0,3 x 0,024 в глиноземе 99,5%.

Родственные продукты
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Выпрямитель тока SOD123  барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Изображение часть # Описание
0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

0402 резистор RC0402JR-0710KL обломока плотной пленки 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

обломок 200MHz MPZ1608S300ATAH0 отбортовывает 5A для линии электропередач TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

резисторы ERJ-2GEJ220X PANASONIC обломока фильма SMD0402 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

Цепь резистора 1 обломока варистора голубая SMD MOV-20D751K 750V 6.5kA до диск 20mm отверстия

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Кремния диода выпрямителя тока 2SB1261-TP 10W транзистор Pnp общецелевого эпитаксиальный плоскостный

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A силы IXFK140N30P приполюсный

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

DF2B29FU, диоды предохранения от ТВ 24VWM 47V ESD H3F

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Выпрямитель тока SOD123  барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Выпрямитель тока SOD123 барьера PMEG6010ER 1A низкий VF МЕГА Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Диоды выпрямителя тока барьера SK34SMA 3A SMD Schottky ДЕЛАЮТ - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

Диоды ТВ держателя диодов лавины 600W кремния SMBJ5.0A поверхностные

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
3000pcs