Интегральные схемаы электроники транзистора BC817-25LT1G NPN общецелевые
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Интегральные схемаы электроники транзистора BC817-25LT1G NPN общецелевые
* высокое увеличение и низкий ТИП напряжений тока сатурации КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ – ДЕТАЛЬ BCX68 PARTMARKING – BCX69 – CJ BCX69-16 – CG BCX69-25 – CH
Особенности
• Пакеты Pb−Free доступны
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ
Классифицируя блок значения символа
Напряжение тока VCEO 45 v Collector−Emitter
Напряжение тока VCBO 50 v Collector−Base
Напряжение тока VEBO 5,0 v Emitter−Base
MAdc IC 500 − течения сборника непрерывное
Максимальные оценки те значения за которое повреждение прибора может произойти. Максимальные оценки приложили к прибору индивидуальные предельные значения стресса (нормальные эксплуатационные режимы) и инвалидны одновременно. Если эти пределы превышены, то деятельность прибора функциональная не подразумевается, повреждение может произойти и надежность может быть затронута.
ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Характерный символ Макс
Доска диссипации FR−5 прибора блока полная, (заметьте 1) ЖИВОТИКИ = 25°C
Derate над 25°C PD 225 1,8 сопротивление mW mW/°C термальное,
Junction−to−Ambient RJA 556 °C/W
Полный субстрат глинозема диссипации прибора, (заметьте 2) ЖИВОТИКИ = 25°C
Derate над 25°C PD 300 2,4 mW mW/°C
Термальное сопротивление, Junction−to−Ambient RJA 417 °C/W
Температура TJ соединения и хранения, Tstg −55 к °C +150
1. FR−5 = 1,0 x 0,75 x 0,062 внутри.
2. Глинозем = 0,4 x 0,3 x 0,024 в глиноземе 99,5%.