Отправить сообщение
Дом > продукты > Обломок IC флэш-памяти > CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) статическая оперативная память ic печатная плата ic

CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) статическая оперативная память ic печатная плата ic

производитель:
Производитель
Описание:
SRAM - Асинхронная память IC 256Kbit параллельные 70 ns 28-PDIP
Категория:
Обломок IC флэш-памяти
Цена:
Negotiation
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Температура хранения:
. – 65°C к +150°C
Температура окружающей среды с силой прикладной:
. -55°C к +125°C
Подача напряжения для того чтобы смолоть потенциал:
– 0.5V к +7.0V
Напряжение тока DC приложенное к выходам в высоко--Z государстве [3:
0
Ввод напряжения DC [3:
0
Самое интересное:

electronics ic chip

,

integrated circuit components

Введение

 

 


CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) статическая оперативная память ic печатная плата ic


Функции

■ Температурные диапазоны

❐ Коммерческий: от 0°C до 70°C

❐ Промышленный: от –40°C до 85°C

❐ Автомобильная промышленность-A: от –40°C до 85°C

❐ Автомобильная промышленность-E: от –40°C до 125°C

■ Высокая скорость: 55 нс

■ Диапазон напряжения: от 4,5 до 5,5 В.

■ Низкая активная мощность

❐ 275 мВт (макс.)

■ Низкая мощность в режиме ожидания (версия LL)

❐ 82,5 мкВт (макс.)

■ Простое расширение памяти с помощью функций CE и OE

■ TTL-совместимые входы и выходы

■ Автоматическое отключение при отключении

■ CMOS для оптимальной скорости и мощности

■ Доступны бессвинцовые и несвинцовые 28-контактные (600-mil) PDIP,

28-контактный (300-мил) узкий SOIC, 28-контактный TSOP-I,

и 28-контактные реверсивные пакеты TSOP-I

 

Функциональное описание

CY62256N[1] представляет собой высокопроизводительную статическую RAM CMOS, организованную как 32K слов по 8 бит.Простое расширение памяти обеспечивается активным включением микросхемы LOW (CE) и активным включением выхода LOW (OE) и драйверами с тремя состояниями.Это устройство имеет функцию автоматического отключения питания, снижающую энергопотребление на 99,9%, если ее отключить.

 

Активный НИЗКИЙ сигнал разрешения записи (WE) управляет операцией записи/чтения памяти.Когда входы CE и WE имеют низкий уровень, данные на восьми контактах ввода/вывода данных (от I/O0 до I/O7) записываются в ячейку памяти, адресуемую адресом, присутствующим на адресных контактах (от A0 до A14).Чтение устройства выполняется путем выбора устройства и включения выходов CE и OE в состояние НИЗКИЙ, в то время как WE остается неактивным или ВЫСОКИМ.В этих условиях содержимое ячейки, к которой обращается информация об адресных выводах, присутствует на восьми выводах ввода/вывода данных.

 

Контакты ввода/вывода остаются в состоянии высокого импеданса, если не выбрана микросхема, выходы не включены, а разрешение записи (WE) не имеет ВЫСОКОГО уровня.

 

 

 

 

СПИСОК АКЦИЙ

CA1458E 1380 ИНТЕРСИЛ 15+ ОКУНАТЬ
7MBR50NF060 500 ФУДЗИ 16+ МОДУЛЬ
AD517JH 2450 ОБЪЯВЛЕНИЕ 13+ МОЖЕТ
2N6394 3000 НА 14+ ТО-220
2SA1385-Z-E1 3000 НЭК 16+ ТО-252
ASPC2R/STE2A 1600 НА 16+ QFP100
IRF710 1500 ИК 13+ СОП
BQ27510DRZR-G2 1560 ТИ 15+ КФН
IRF840 1500 ИК 16+ ТО-220
IRF740 1500 ИК 16+ СОП
ADG783BCPZ 2000 г. ОБЪЯВЛЕНИЕ 15+ LFCSP
АДМ3202АРНЗ 2000 г. ОБЪЯВЛЕНИЕ 15+ СОП-16
1Н4448В-7-Ф 9000 ДИОДЫ 13+ СОД123
IRF7389TR 1500 ИК 15+ СОП
HA13164AH 3460 УДАРЯТЬ 15+ ОКУНАТЬ
IRFR024N 1500 ИК 13+ ТО-252
HT9302G 2460 ХОЛТЕК 14+ ДИП-16
БТА08-600БВ 2100 СТ 13+ ТО-220
2СД1555 3000 ТОШИБА 13+ ТО-3П
2SK2996 3000 ТОШИБА 15+ ТО-220Ф
2SK2671 3000 ШИНДЭНГЕ 15+ ТО-220
2SK3451 3000 ФУДЗИ 16+ ТО-220Ф
AD574AJD 2450 ОБЪЯВЛЕНИЕ 16+ ДИП-28
4Н32 3000 ЛПС 15+ ДИП-6
2SC3997 3000 САНИО 15+ ТО-3ПЛ
2SC5148 3000 ТОШИБА 16+ ТО-3П
Родственные продукты
Изображение часть # Описание
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
5pcs