Отправить сообщение
Дом > продукты > Обломок IC флэш-памяти > Первоначальное программирование IC откалывает 256K 32K x 8 5 вольт только флэш-памяти AT29C256-12JC Cmos Cmos

Первоначальное программирование IC откалывает 256K 32K x 8 5 вольт только флэш-памяти AT29C256-12JC Cmos Cmos

производитель:
Микросхема
Описание:
ИС флэш-памяти 256 Кбит Параллельный 120 нс 32-PLCC (13,97x11,43)
Категория:
Обломок IC флэш-памяти
Цена:
Negotiate
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Течение нагрузки входного сигнала:
µA 10 (Макс)
Течение утечки выхода:
µA 10 (Макс)
VCC резервный настоящий CMOS:
µA 300 (максимальное)
Vcc резервный настоящий TTL:
3 мамы (максимальной)
Vcc активный ток:
50 мам (максимальных)
Низшее напряжение входного сигнала:
0,8 v (максимальный)
Высокое напряжение входного сигнала:
2,0 v (минута)
Низшее напряжение выхода:
0,45 v (максимальный)
Самое интересное:

integrated circuit ic

,

integrated circuit components

Введение

 

 

Первоначальное программирование IC откалывает 256K 32K x 8 5 вольт только флэш-памяти AT29C256 Cmos Cmos

 

 

256 КБ (32 КБ x 8) 5-вольтовая только флэш-память AT29C256

 

 

Функции

 

• Время быстрого чтения – 70 нс

• Перепрограммирование только 5 вольт

• Работа с программой страницы

- Одноцикловое перепрограммирование (стирание и программирование)

– Внутренние защелки адреса и данных для 64 байт

• Внутренний контроль программы и таймер

• Аппаратная и программная защита данных

• Быстрое время цикла программы

– Страница (64 байта) Время программы – 10 мс

– Время стирания чипа – 10 мс

• Опрос данных для обнаружения конца программы

• Низкое рассеивание мощности

– 50 мА Активный ток

– Ток в режиме ожидания CMOS 300 мкА

• Стандартная износостойкость > 10 000 циклов

• Одиночное питание 5 В ± 10 %

• Входы и выходы, совместимые с CMOS и TTL

• Коммерческие и промышленные температурные диапазоны

 

Описание

 

AT29C256 — это пятивольтовая внутрисистемная программируемая и стираемая флэш-память только для чтения (PERROM).Его 256 КБ памяти организованы как 32 768 слов по 8 бит.Устройство, изготовленное с использованием усовершенствованной энергонезависимой КМОП-технологии Atmel, обеспечивает время доступа до 70 нс при рассеиваемой мощности всего 275 мВт.Когда устройство не выбрано, ток CMOS в режиме ожидания составляет менее 300 мкА.Надежность устройства такова, что любой сектор обычно может быть записан более 10 000 раз.

 

Конфигурации контактов

 

Имя контакта Функция
А0 - А14 Адреса
CE Включение чипа
ОЕ Выход Включен
МЫ Включить запись
Ввод/вывод0 - Ввод/вывод7 Ввод/вывод данных
Северная Каролина Нет подключения
ОКРУГ КОЛУМБИЯ Не подключать

 

PLCC и LCC, вид сверху

 

Примечание. Контакты 1 и 17 корпуса PLCC НЕ ПОДКЛЮЧЕНЫ.

 

TSOP, вид сверху, тип 1

 

 

Чтобы обеспечить простое перепрограммирование внутри системы, AT29C256 не требует высокого входного напряжения для программирования.Только пятивольтовые команды определяют работу устройства.Чтение данных из устройства аналогично чтению из статического ОЗУ.Перепрограммирование AT29C256 выполняется постранично;64 байта данных загружаются в устройство, а затем одновременно программируются.Содержимое всего устройства можно стереть с помощью шестибайтового программного кода (хотя стирание перед программированием не требуется).Во время цикла перепрограммирования адреса и 64 байта данных внутренне фиксируются, освобождая адрес и шину данных для других операций.После запуска программного цикла устройство автоматически сотрет страницу, а затем запрограммирует заблокированные данные с помощью внутреннего таймера управления.Окончание программного цикла можно обнаружить с помощью опроса данных ввода/вывода7.После обнаружения конца программного цикла может начаться новый доступ для чтения, программы или стирания чипа.

 

Блок-схема

 

Абсолютные максимальные значения*

                                                                                                       

Температура при смещении................... от -55°C до +125°C

 

Температура хранения................................... от -65°C до +150°C

 

Все входные напряжения (включая контакты NC)

по отношению к земле ...................................... от -0,6 В до +6,25 В

 

Все выходные напряжения

по отношению к земле...................................от -0,6В до VCC +0,6В

 

Напряжение на ОЭ

по отношению к земле ...................................... от -0,6 В до +13,5 В

                                                                                                           

*ВНИМАНИЕ: Нагрузки, превышающие указанные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к необратимому повреждению устройства.Это только оценка нагрузки, и функциональная работа устройства в этих или любых других условиях, кроме указанных в эксплуатационных разделах этой спецификации, не подразумевается.Воздействие абсолютных максимальных номинальных значений в течение длительного времени может повлиять на надежность устройства.

Родственные продукты
Изображение часть # Описание
AT25128AN-10SI-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

AT25128AN-10SI-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

EEPROM Memory IC 128Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
AT25160A-10TI-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

AT25160A-10TI-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

EEPROM Memory IC 16Kbit SPI 20 MHz 8-TSSOP
AT24C64BN-10SU-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

AT24C64BN-10SU-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

EEPROM Memory IC 64Kbit I²C 400 kHz 900 ns 8-SOIC
AT25020AY1-10YI-1.8 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

AT25020AY1-10YI-1.8 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

EEPROM Memory IC 2Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
AT25040AY1-10YI-1.8 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

AT25040AY1-10YI-1.8 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

EEPROM Memory IC 4Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
AT25010AN-10SU-1.8 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

AT25010AN-10SU-1.8 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

EEPROM Memory IC 1Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
AT25020AY1-10YI-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

AT25020AY1-10YI-2.7 флэш-память ЗАПАС IC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

EEPROM Memory IC 2Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
Память IC 64Kb ТВ 24LC64-I/P (8K x 8) я флэш-память c 400kHz 900ns 8 PDIP Eeprom ²

Память IC 64Kb ТВ 24LC64-I/P (8K x 8) я флэш-память c 400kHz 900ns 8 PDIP Eeprom ²

EEPROM Memory IC 64Kbit I²C 400 kHz 900 ns 8-PDIP
Флэш-память ЗАПАС IC AT24C512C-SSHD-T НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Флэш-память ЗАПАС IC AT24C512C-SSHD-T НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

EEPROM Memory IC 512Kbit I²C 1 MHz 550 ns 8-SOIC
Флэш-память ЗАПАС IC AT25010N-10SC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Флэш-память ЗАПАС IC AT25010N-10SC НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

EEPROM Memory IC 1Kbit SPI 3 MHz 8-SOIC
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
10pcs