Отправить сообщение
Дом > продукты > Обломок IC флэш-памяти > FM24CL04B-GTR 4 - память Kbit не испаряющая, интерфейс серийной флэш-памяти быстрый I2C FRAM

FM24CL04B-GTR 4 - память Kbit не испаряющая, интерфейс серийной флэш-памяти быстрый I2C FRAM

производитель:
Производитель
Описание:
² c 1 MHz 550 ns 8-SOIC IC 4Kbit i памяти FRAM (Ferroelectric RAM)
Категория:
Обломок IC флэш-памяти
Цена:
Negotiate
Способ оплаты:
T/T, западное соединение, PayPal
Спецификации
Серия:
FM24CL04B
Напряжение тока:
2,7 v до 3,65 v
Особенность:
Потребление низкой мощности
Объем памяти:
Кб 4 (512 x 8)
Применение:
Мониторы LCD, ТВ индикаторной панели, принтеры, GPS, MP3
Пакет:
SOIC8
Тактовая частота:
частота 1-MHz
Интерфейс:
Быстрый двухпрободный последовательный интерфейс (I2C)
Самое интересное:

serial flash memory

,

serial flash chip

Введение

Вспышка последовательного интерфейса серийная FRAM обломока 4Kbit флэш-памяти FM24CL04B-GTR быстрая двухпрободная

Описание
FM24CL04B энергонезависимая память 4-Kbit используя предварительный ferroelectric процесс. Ferroelectric оперативное запоминающее устройство или F-RAM слаболетучи и выполняют читают и пишут подобное RAM. Он обеспечивает удерживание достоверных данных на 151 лет пока исключающ сложности, накладные расходы, и на уровне систем проблемы надежности причиненные EEPROM и другими энергонезависимыми памятями. Не похож на EEPROM, FM24CL04B выполняет для записи деятельности на скорости автобуса. Никакой напишите задержки произведите. Данные написаны в массив памяти немедленно после каждого байта успешно возвращены к прибору. Следующий цикл автобуса может начать без потребности для полинга данных. К тому же, продукт предлагает существенное пишет выносливость сравненную с другими энергонезависимыми памятями. Также, F-RAM показывает гораздо ниже силу во время пишет чем EEPROM с тех пор пишут деятельность не требуют внутренне повышенного напряжения тока электропитания для пишут цепи. FM24CL04B способно на поддерживать прочитанное 1014/пишет циклы, или 100 миллионов времена больше пишут циклы чем EEPROM. Эти возможности делают идеал для применений энергонезависимой памяти, требование FM24CL04B частое или быстрый пишет. Примеры выстраивают в ряд от регистрации данных, где номер пишет циклы может быть критическим, к требовать промышленным контролям где длинные пишут время EEPROM могут причинить потерю данных. Сочетание из отличает позволяет более частым данным писать с меньше накладных расходов для системы. FM24CL04B снабжает существенные преимущества потребители сериала (I2C) EEPROM как оборудование падени-в замене. Спецификации прибора гарантированы над промышленным диапазоном температур – 40 c к C. +85.
Особенности
ferroelectric оперативное запоминающее устройство 4-Kbit (F-RAM) логически
организованный как 512 × 8
Высоко-выносливость 100 триллион ❐ (1014) прочитала/пишет
❐ удерживание 151 данному по года (см. удерживание и выносливость данных
на страница 10)
❐ NoDelay™ пишет
Процесс предварительной высоко-надежности ❐ ferroelectric
■Быстрый двухпрободный последовательный интерфейс (I2C)
❐ до частоты 1-MHz
❐ направляет замену оборудования для сериала (I2C) EEPROM
❐ поддерживает времена наследия для 100 КГц и 400 КГц
■Потребление низкой мощности
 ❐ 100 активный ток на 100 КГц
течение  a ❐ 3 (типа) резервное
■Деятельность напряжения тока: VDD = 2,7 v до 3,65 v
■Промышленная температура: – 40  c к +85  c
■пакет интегральной схемаы плана 8 штырей небольшой (SOIC)
■Ограничение опасных веществ (RoHS) уступчивых

Применения

Промышленный, сообщение & сеть

Родственные продукты
Изображение часть # Описание
Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

Флэш-память IC 3V 1G W25N01GVZEIG SLC Nand СДЕРЖАЛА Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

PF48F4400P0VBQEK Новый и оригинальный запас

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Флэш-память ЗАПАС IC DSPIC30F3011-30I/PT НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

ЗАПАС IR2110PBF НОВЫЙ И ПЕРВОНАЧАЛЬНЫЙ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Обломок IC флэш-памяти S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

БИТА обломока 3V 8M W25Q80DVSNIG интегральная схемаа памяти Spi квадрацикла серийного внезапного двойная

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

Модуль IRF520 привода PWM Controlador Одно-обломока влияния поля трубки MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

MAX485, RS485 модуль TTL к RS-485 модулю TTL до 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

SKY65336-11 Новый и оригинальный запас

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Отправьте RFQ
Запас:
MOQ:
10pcs